2018 ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળા હાઇ પાવર ફિલ્મ કેપેસિટર - પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં GTO સ્નબર કેપેસિટર - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

આપણે જે કરીએ છીએ તે ઘણીવાર આપણા સિદ્ધાંત સાથે સંકળાયેલું હોય છે "શરૂઆતમાં ખરીદનાર, શરૂઆતમાં આધાર રાખવો, ખાદ્ય પદાર્થોના પેકેજિંગ અને પર્યાવરણીય સંરક્ષણ પર સમર્પિત રહેવું"મેડિકલ ઇમેજિંગ માટે વપરાતું ફિલ્મ કેપેસિટર , હાઇ વોલ્ટેજ પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ કેપેસિટર , ઉચ્ચ વોલ્ટેજ ફિલ્ટર કેપેસિટર્સ, અમે અમારા પ્રદાતાને સુધારવા અને આક્રમક દરે શ્રેષ્ઠ ગુણવત્તાવાળા ઉત્પાદનો અને સેવાઓ પ્રદાન કરવા માટે સતત પ્રયત્નશીલ રહીશું. કોઈપણ પૂછપરછ અથવા ટિપ્પણીની ખરેખર પ્રશંસા કરવામાં આવે છે. કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક મુક્તપણે કરો.

2018 ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળા હાઇ પાવર ફિલ્મ કેપેસિટર - પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં GTO સ્નબર કેપેસિટર - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ માહિતી

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: + 85℃ ઉપલા શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચલું શ્રેણી તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૦.૨૨~૩μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૩૦૦૦વો.ડીસી~૧૦૦૦૦વો.ડીસી
કેપ.ટોલ	±5%(J); ±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	૧.૩૫ યુનિટ ડીસી/૧૦એસ
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.001 f=1KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર)
સ્ટ્રાઇક કરંટનો સામનો કરો	ડેટાશીટ જુઓ
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
સંદર્ભ ધોરણ	આઇઇસી 61071;

લક્ષણ

1. માયલર ટેપ, રેઝિનથી સીલબંધ;

2. કોપર નટ લીડ્સ;

3. ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, નીચા tgδ, નીચા તાપમાનમાં વધારો સામે પ્રતિકાર;

4. નીચા ESL અને ESR;

5. ઉચ્ચ પલ્સ કરંટ.

અરજી

1. જીટીઓ સ્નબર.

2. પીક વોલ્ટેજ, પીક કરંટ શોષણ સુરક્ષા દરમિયાન પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.

લાક્ષણિક સર્કિટ

રૂપરેખા ચિત્ર

સ્પષ્ટીકરણ

અન=3000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૨૨	35	44	52	25	૧૧૦૦	૨૪૨	30
૦.૩૩	43	44	52	25	૧૦૦૦	૩૩૦	35
૦.૪૭	51	44	52	22	૮૫૦	૩૯૯	45
૦.૬૮	61	44	52	22	૮૦૦	૫૪૪	55
૧	74	44	52	20	૭૦૦	૭૦૦	65
૧.૨	80	44	52	20	૬૫૦	૭૮૦	75
૧.૫	52	70	84	30	૬૦૦	૯૦૦	45
૨.૦	60	70	84	30	૫૦૦	૧૦૦૦	55
૩.૦	73	70	84	30	૪૦૦	૧૨૦૦	65
૪.૦	83	70	84	30	૩૫૦	૧૪૦૦	70
અન=6000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૨૨	43	60	72	25	૧૫૦૦	૩૩૦	35
૦.૩૩	52	60	72	25	૧૨૦૦	૩૯૬	45
૦.૪૭	62	60	72	25	૧૦૦૦	૪૭૦	50
૦.૬૮	74	60	72	22	૯૦૦	૬૧૨	60
૧	90	60	72	22	૮૦૦	૯૦૦	75

અન=7000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૨૨	45	57	72	25	૧૧૦૦	૨૪૨	30
૦.૬૮	36	80	92	28	૧૦૦૦	૬૮૦	25
૧.૦	43	80	92	28	૮૫૦	૮૫૦	30
૧.૫	52	80	92	25	૮૦૦	૧૨૦૦	35
૧.૮	57	80	92	25	૭૦૦	૧૨૬૦	40
૨.૦	60	80	92	23	૬૫૦	૧૩૦૦	45
૩.૦	73	80	92	22	૫૦૦	૧૫૦૦	50

અન=8000V.DC
કેપેસીટન્સ(μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૩૩	35	90	૧૦૨	30	૧૧૦૦	૩૬૩	25
૦.૪૭	41	90	૧૦૨	28	૧૦૦૦	૪૭૦	30
૦.૬૮	49	90	૧૦૨	28	૮૫૦	૫૭૮	35
૧	60	90	૧૦૨	25	૮૦૦	૮૦૦	40
૧.૫	72	90	૧૦૨	25	૭૦૦	૧૦૫૦	45
૨.૦	83	90	૧૦૨	25	૬૫૦	૧૩૦૦	50

અન=10000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૩૩	45	૧૧૪	૧૨૩	35	૧૫૦૦	૪૯૫	30
૦.૪૭	54	૧૧૪	૧૨૩	35	૧૩૦૦	૬૧૧	35
૦.૬૮	65	૧૧૪	૧૨૩	35	૧૨૦૦	૮૧૬	40
૧	78	૧૧૪	૧૨૩	30	૧૦૦૦	૧૦૦૦	55
૧.૫	95	૧૧૪	૧૨૩	30	૮૦૦	૧૨૦૦	70

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમારા સોલ્યુશન્સ ગ્રાહકો દ્વારા વ્યાપકપણે ઓળખાય છે અને વિશ્વસનીય છે અને 2018 ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળા હાઇ પાવર ફિલ્મ કેપેસિટર - પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં GTO સ્નબર કેપેસિટર - CRE માટે સતત વિકસતી નાણાકીય અને સામાજિક જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરશે. આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: મક્કા, સોમાલિયા, એક્વાડોર, ભવિષ્યની રાહ જુઓ, અમે બ્રાન્ડ નિર્માણ અને પ્રમોશન પર વધુ ધ્યાન કેન્દ્રિત કરીશું. અને અમારા બ્રાન્ડ વૈશ્વિક વ્યૂહાત્મક લેઆઉટની પ્રક્રિયામાં અમે વધુને વધુ ભાગીદારોને અમારી સાથે જોડાવાનું, પરસ્પર લાભના આધારે અમારી સાથે મળીને કામ કરવાનું સ્વાગત કરીએ છીએ. ચાલો અમારા વ્યાપક ફાયદાઓનો સંપૂર્ણ ઉપયોગ કરીને બજારનો વિકાસ કરીએ અને નિર્માણ માટે પ્રયત્નશીલ રહીએ.

કસ્ટમ-ડિઝાઇન કરેલ ફિલ્મ કેપેસિટર

ડીસી કેપેસિટર