8 વર્ષનો નિકાસકાર ઇલેક્ટ્રિક હીટિંગ કેપેસિટર - હાઇ પાવર સિસ્ટમ માટે રચાયેલ એડવાન્સ્ડ એમ્બેડેડ PCB કેપેસિટર - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

"ગ્રાહક પ્રથમ, ઉચ્ચ ગુણવત્તા પ્રથમ" ને ધ્યાનમાં રાખીને, અમે અમારા ગ્રાહકો સાથે નજીકથી કાર્ય કરીએ છીએ અને તેમને કાર્યક્ષમ અને અનુભવી સેવાઓ પ્રદાન કરીએ છીએફ્રીક્વન્સી કન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર , હાઇ પલ્સ કરંટ Igbt સ્નબર , એબીબી ઇન્વર્ટર માટે ફિલ્મ કેપેસિટર, સારી ગુણવત્તા અને આક્રમક ભાવો અમારા ઉત્પાદનોને વિશ્વભરમાં એક મહત્વપૂર્ણ નામનો આનંદ માણવા માટે પ્રેરિત કરે છે.

8 વર્ષનો નિકાસકાર ઇલેક્ટ્રિક હીટિંગ કેપેસિટર - હાઇ પાવર સિસ્ટમ માટે રચાયેલ એડવાન્સ્ડ એમ્બેડેડ PCB કેપેસિટર - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ માહિતી

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: +105℃ ઉપલા શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચલું શ્રેણી તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૩~૫૦μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૨૦૦ વોલ્ટ.એસી~૪૫૦ વોલ્ટ.એસી
કેપ.ટોલ	±5%(J); ±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	2Un DC/10S
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.0015f=1KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC60S પર)
જ્યોત મંદતા	UL94V-0 નો પરિચય
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)
સંદર્ભ ધોરણ	આઇઇસી61071;
ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: +105℃ ઉપલા શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચલું શ્રેણી તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૩~૫૦μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૨૦૦ વોલ્ટ.એસી~૪૫૦ વોલ્ટ.એસી
કેપ.ટોલ	±5%(J); ±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	2Un DC/10S
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.0015f=1KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC60S પર)
જ્યોત મંદતા	UL94V-0 નો પરિચય
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤70 °C)

લક્ષણ

1. ડ્રાય ફિલ્મ બાંધકામ;
2. ટીન કરેલા કોપર વાયર સાથે લીડ્સ; નાનું કદ. સરળ ઇન્સ્ટોલેશન;
3. નીચા ESL અને ESR;
4. ઉચ્ચ પલ્સ કરંટ.

અરજી

1. ઊર્જા સંગ્રહ ફિલ્ટર કરવા માટે DC-લિંક સર્કિટમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે;
2. ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટરને બદલી શકે છે, વધુ સારી કામગીરી અને લાંબુ આયુષ્ય.
૩. પીવી ઇન્વર્ટર, વિન્ડ પાવર કન્વર્ટર; તમામ પ્રકારના ફ્રીક્વન્સી કન્વર્ટર અને ઇન્વર્ટર પાવર સપ્લાય;
શુદ્ધ ઇલેક્ટ્રિક અને હાઇબ્રિડ કાર; ચાર્જિંગ પાઇલ, યુપીએસ, વગેરે.

રૂપરેખા ચિત્ર

	(મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	φd	P1	P2	ESR @10KHz (mΩ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦KHz (A)
20	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૩	30	૬૦૦	12
20	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૧.૮	30	૬૦૦	22
25	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫		૩.૮	17	૪૨૫	12
25	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	17	૪૨૫	22
30	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫		૩.૫	17	૫૧૦	12
30	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૯	17	૫૧૦	22
30	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૮	17	૫૧૦	25
33	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		૩.૩	17	૫૬૧	12
33	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૭	17	૫૬૧	22
33	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૬	17	૫૬૧	28
35	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		૩.૨	17	૫૯૫	12
35	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૬	17	૫૯૫	22
35	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૫	17	૫૯૫	30
40	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		3	17	૬૮૦	12
40	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૪	17	૬૮૦	22
40	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૩	17	૬૮૦	30
45	૫૭.૫	38	54	૧.૦	૫૨.૫		૨.૮	17	૭૬૫	12
45	૫૭.૫	38	54	૧.૦	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૩	17	૭૬૫	22
45	૫૭.૫	38	54	૧.૦	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૨	17	૭૬૫	32
50	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૧.૨	૫૨.૫		૨.૭	17	૮૫૦	12
50	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૨	17	૮૫૦	22
50	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૧	17	૮૫૦	32

વોલ્ટેજ			અન 400V.DC,Urms250Vac;Us800V
	(મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
10	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	૧.૨	૩૭.૫		૨.૬	40	૪૦૦	12
10	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	2	40	૪૦૦	23
15	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૩	40	૬૦૦	28
15	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૧.૮	40	૬૦૦	28
15	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૧૦.૨	૧.૭	40	૬૦૦	28
18	૪૨.૫	33	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૨	40	૭૨૦	15
18	૪૨.૫	33	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૧.૭	40	૭૨૦	15
18	૪૨.૫	33	45	૧.૨	૩૭.૫	૧૦.૨	૧.૬	40	૭૨૦	15
20	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫		૩.૫	20	૪૦૦	25
20	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૯	20	૪૦૦	25
20	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૮	20	૪૦૦	25
25	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		૩.૪	20	૫૦૦	28
25	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૮	20	૫૦૦	28
25	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૭	20	૫૦૦	28
30	૫૭.૫	38	54	૧.૨	૫૨.૫		૩.૨	20	૬૦૦	25
30	૫૭.૫	38	54	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૭	20	૬૦૦	25
30	૫૭.૫	38	54	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૬	20	૬૦૦	25

વોલ્ટેજ			અન 600V.DC,Urms330Vac;Us1200V
		(મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
5	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	૧.૨	૩૭.૫		૩.૧	55	૨૭૫	12
5	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૫	55	૨૭૫	20
૬.૮	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૮	55	૩૭૪	12
૬.૮	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૨	55	૩૭૪	22
9	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૬	55	૪૯૫	12
9	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૨	55	૪૯૫	22
9	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૧૦.૨	૧.૯	55	૪૯૫	28
10	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫		૪.૨	30	૩૦૦	22
10	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૭	30	૩૦૦	25
15	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		૩.૬	30	૪૫૦	12
15	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૮	30	૪૫૦	20
15	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૭	30	૪૫૦	28

વોલ્ટેજ			અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1400V
		(મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૪.૭	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		3	70	૩૨૯	12
૪.૭	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૪	70	૩૨૯	22
5	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૯	70	૩૫૦	12
5	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૩	70	૩૫૦	22
6	૪૨.૫	33	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૮	70	૪૨૦	12
6	૪૨.૫	33	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૨	70	૪૨૦	22
8	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		૪.૨	40	૩૨૦	12
8	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૬	40	૩૨૦	22
8	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૩.૫	40	૩૨૦	28
10	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		૩.૯	40	૪૦૦	12
10	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૩	40	૪૦૦	22
10	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૩.૨	40	૪૦૦	30
15	૫૭.૫	38	54	૧.૨	૫૨.૫		૩.૬	40	૬૦૦	12
15	૫૭.૫	38	54	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૧	40	૬૦૦	22
15	૫૭.૫	38	54	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	3	40	૬૦૦	30

વોલ્ટેજ			અન 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
		(મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	φd	P1	P2	ESR(mΩ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
3	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૪	૧૧૦	૩૩૦	12
3	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૧.૮	૧૧૦	૩૩૦	22
3	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૧૦.૨	૧.૭	૧૧૦	૩૩૦	25
૩.૩	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫		૨.૩	૧૧૦	૩૬૩	12
૩.૩	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૧.૭	૧૧૦	૩૬૩	22
૩.૩	૪૨.૫	30	45	૧.૨	૩૭.૫	૧૦.૨	૧.૬	૧૧૦	૩૬૩	28
4	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫		૩.૧	55	૨૨૦	12
4	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૫	55	૨૨૦	22
4	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૪	55	૨૨૦	28
૪.૭	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫		3	55	૨૫૮.૫	12
૪.૭	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૪	55	૨૫૮.૫	22
૪.૭	૫૭.૫	30	45	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૩	55	૨૫૮.૫	30
૫.૬	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫		૨.૯	55	૩૦૮	12
૫.૬	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૨	55	૩૦૮	22
૫.૬	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૫૨.૫	૧૦.૨	૨.૨	55	૩૦૮	31
6	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૩૭.૫		૨.૮	55	૩૩૦	12
6	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૫	૨.૧	55	૩૩૦	22
6	૫૭.૫	35	50	૧.૨	૩૭.૫	૧૦.૨	2	55	૩૩૦	32
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૧.૨	૩૭.૫		૨.૫	55	૩૭૪	12
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૧.૨	૩૭.૫	૨૦.૩	૧.૯	55	૩૭૪	22
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૧.૨	૩૭.૫	૧૦.૨	૧.૮	55	૩૭૪	32

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમે પ્રગતિ પર ભાર મૂકીએ છીએ અને દર વર્ષે 8 વર્ષના નિકાસકાર ઇલેક્ટ્રિક હીટિંગ કેપેસિટર માટે બજારમાં નવી વસ્તુઓ રજૂ કરીએ છીએ - હાઇ પાવર સિસ્ટમ માટે રચાયેલ એડવાન્સ્ડ એમ્બેડેડ PCB કેપેસિટર - CRE, આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: તુર્કી, એસ્ટોનિયા, રોમ, 9 વર્ષથી વધુના અનુભવ અને વ્યાવસાયિક ટીમ સાથે, અમે અમારા ઉત્પાદનો વિશ્વભરના ઘણા દેશો અને પ્રદેશોમાં નિકાસ કર્યા છે. અમે વિશ્વના તમામ ભાગોના ગ્રાહકો, વ્યવસાય સંગઠનો અને મિત્રોનું અમારો સંપર્ક કરવા અને પરસ્પર લાભ માટે સહયોગ મેળવવા માટે સ્વાગત કરીએ છીએ.

એક્સ-રે ડિટેક્ટર માટે કેપેસિટર

ખર્ચ-અસરકારક ફિલ્મ કેપેસિટર

ફ્રીક્વન્સી કન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર

ઉર્જા સંગ્રહ એપ્લિકેશન માટે ડ્રાય ટાઇપ કેપેસિટર

ઇન્વર્ટર ડીસી લિંક કેપેસિટર

મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ પાવર કેપેસિટર

સેલ પ્રોલિફેરેટર માટે મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ કેપેસિટર

પીસીબી માઉન્ટેડ ફિલ્મ કેપેસિટર

પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક કેપેસિટર

હાઇ પાવર્ડ થાઇરિસ્ટર માટે સ્નબર

આ ફેક્ટરી સતત વિકાસશીલ આર્થિક અને બજારની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે, જેથી તેમના ઉત્પાદનો વ્યાપકપણે ઓળખાય અને વિશ્વસનીય બને, અને તેથી જ અમે આ કંપની પસંદ કરી.