એસી ફિલ્ટર કેપેસિટર (AKMJ-PS)

ટૂંકું વર્ણન:

AKMJ-PS શ્રેણી

પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ માટે ડ્રાય ફિલ્મ કેપેસિટર

ભેજ મજબૂતાઈ ગ્રેડ ટેસ્ટ ભીની ગરમી, રેટેડ વોલ્ટેજ પર સ્થિર સ્થિતિ.

AKMJ-PS કેપેસિટર અત્યંત કાર્યકારી વાતાવરણમાં પણ, નવીનીકરણીય ઊર્જાનો અસરકારક રીતે સંગ્રહ કરવામાં સક્ષમ છે.

અમને ઇમેઇલ મોકલો PDF તરીકે ડાઉનલોડ કરો

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

AKMJ-PS શ્રેણી

એસી પાવર ઇન્વર્ટર માટે વપરાતા એસી ફિલ્ટરિંગ કેપેસિટર્સ.

સ્વ-હીલિંગ, ડ્રાય-ટાઇપ, કેપેસિટર તત્વો ખાસ પ્રોફાઇલવાળી, મેટલાઇઝ્ડ પીપી ફિલ્મનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે જે ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ, ઉચ્ચ ભંગાણ પ્રતિકાર અને ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા સુનિશ્ચિત કરે છે. વધુ પડતા દબાણથી ડિસ્કનેક્શન જરૂરી માનવામાં આવતું નથી. કેપેસિટર ટોચ સ્વ-બુઝાવવાની ઇકો-ફ્રેન્ડલી ઇપોક્સીથી સીલ કરવામાં આવે છે. ખાસ ડિઝાઇન ખૂબ જ ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ સુનિશ્ચિત કરે છે.

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વોલ્ટેજ					૫૫૦વો.ડીસી(૮૫℃) ૬૦૦વો（૭૦℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
4	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		૨૦.૫	10	75	૩૦૦	4
7	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		૧૧.૫	10	75	૫૨૫	૬.૫
10	2	1	32	18	28	૨૭.૫		8	10	75	૭૫૦	9
12	2	1	32	21	31	૨૭.૫		7	10	75	૯૦૦	10
20	2	૧.૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	૩૭.૫		7	10	40	૮૦૦	11
30	4	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫	૨૦.૩	૬.૫	10	40	૧૨૦૦	15
45	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	6	10	40	૧૮૦૦	17
60	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	40	૨૪૦૦	૧૮.૫
60	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	40	૨૪૦૦	૧૮.૫
75	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	3	15	20	૧૫૦૦	19
75	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૧૫૦૦	18
૧૦૦	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૮	15	20	૨૦૦૦	20
૧૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૨૦૦૦	22
૧૧૦	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૨૨૦૦	23
૧૨૦	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૮	15	20	૨૪૦૦	25
૧૫૦	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૫	15	20	૩૦૦૦	28
૧૫૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૫	15	20	૩૦૦૦	28
૨૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૩	15	20	૪૦૦૦	28
વોલ્ટેજ					૭૦૦વો.ડીસી (૮૫℃) ૮૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
3	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		23	10	75	૨૨૫	4
5	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		14	10	75	૩૭૫	6
8	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૮.૫	10	75	૬૦૦	૮.૫
10	2	1	32	21	31	૨૭.૫		7	10	75	૭૫૦	10
10	2	૧.૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	૩૭.૫		10	10	40	૪૦૦	10
20	4	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫	૨૦.૩	૭.૫	10	40	૮૦૦	12
25	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	6	10	40	૧૦૦૦	12
40	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૫.૫	10	40	૧૬૦૦	13
40	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	6	15	20	૮૦૦	15
45	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	40	૧૮૦૦	15
50	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	૫.૫	15	20	૧૦૦૦	18
55	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	40	૨૨૦૦	18
60	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	5	15	20	૧૨૦૦	20
75	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	20	૧૫૦૦	22
80	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	4	15	20	૧૬૦૦	22
90	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	20	૧૮૦૦	25
૧૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૨૦૦૦	૨૭.૫
૧૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૨૦૦૦	૨૭.૫
૧૧૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૨૨૦૦	28
વોલ્ટેજ					૮૦૦વો.ડીસી (૮૫℃) ૯૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
2	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		31	10	75	૧૫૦	૩.૫
4	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		૧૫.૫	10	75	૩૦૦	૫.૫
6	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૧૦.૫	10	75	૪૫૦	૭.૫
8	2	1	32	21	31	૨૭.૫		8	10	75	૬૦૦	૯.૫
15	2	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫		10	10	40	૬૦૦	10
20	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	૭.૫	10	40	૮૦૦	12
30	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	40	૧૨૦૦	16
35	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	૫.૫	15	20	૭૦૦	14
45	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૨	10	40	૧૮૦૦	17
50	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	20	૧૦૦૦	18
55	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	4	10	40	૨૨૦૦	18
60	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	20	૧૨૦૦	20
70	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	20	૧૪૦૦	22
75	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૧૫૦૦	24
85	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૧૭૦૦	26
વોલ્ટેજ					1100V.DC(85℃) 1200V (70℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
1	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		૪૫.૫	10	95	95	3
2	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		23	10	95	૧૯૦	૪.૫
3	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૧૫.૫	10	95	૨૮૫	6
4	2	1	32	21	31	૨૭.૫		૧૧.૫	10	95	૩૮૦	8
10	2	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫		11	10	40	૪૨૯	11
15	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	8	10	40	૬૦૦	15
20	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	40	૮૦૦	18
20	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	40	૮૦૦	18
20	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	7	15	25	૫૦૦	15
25	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	6	15	25	૬૨૫	17
30	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	5	15	25	૭૫૦	18
35	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	40	૧૪૦૦	19
40	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	5	15	25	૧૦૦૦	18
45	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	25	૧૧૨૫	૧૮.૫
50	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	25	૧૨૫૦	20
55	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	25	૧૩૭૫	21
60	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	25	૧૫૦૦	22
70	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	25	૧૭૫૦	24
વોલ્ટેજ					૧૨૦૦વો.ડીસી(૮૫℃) ૧૫૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
1	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		43	10	૧૦૦	૧૦૦	3
2	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		૨૧.૫	10	૧૦૦	૨૦૦	5
3	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૧૪.૫	10	૧૦૦	૩૦૦	૬.૫
4	2	1	32	21	31	૨૭.૫		11	10	૧૦૦	૪૦૦	8
12	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	50	૬૦૦	15
12	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	11	15	40	૪૮૦	13
18	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	50	૯૦૦	18
20	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	7	15	50	૧૦૦૦	16
20	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	8	15	40	૮૦૦	17
25	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	7	15	40	૧૦૦૦	20
40	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	6	15	25	૧૦૦૦	22
45	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	૫.૫	15	25	૧૧૨૫	24
વોલ્ટેજ					૧૮૦૦વો.ડીસી(૮૫℃) ૨૦૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
6	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	24	10	૧૦૦	૬૦૦	5
8	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	20	10	૧૦૦	૮૦૦	8
10	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	18	10	૧૦૦	૧૦૦૦	10
8	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	12	15	50	૪૦૦	13
10	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	10	15	50	૫૦૦	17
15	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	8	15	50	૭૫૦	20
18	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૭.૫	15	50	૯૦૦	21
20	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	7	15	45	૯૦૦	22