મેડિકલ ઇમેજિંગ માટે વપરાયેલ સૌથી સસ્તી કિંમતનું ફિલ્મ કેપેસિટર - IGBT પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ એપ્લિકેશન્સ માટે ઉચ્ચ પીક વર્તમાન સ્નબર ફિલ્મ કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE

મેડિકલ ઇમેજિંગ માટે વપરાયેલ સૌથી સસ્તી કિંમતનું ફિલ્મ કેપેસિટર - આઇજીબીટી પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ એપ્લિકેશન્સ માટે ઉચ્ચ પીક વર્તમાન સ્નબર ફિલ્મ કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE ફીચર્ડ ઇમેજ

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

અદ્યતન અને નિષ્ણાત IT ટીમ દ્વારા સમર્થિત હોવાથી, અમે પ્રી-સેલ્સ અને વેચાણ પછીની સેવાઓ પર ટેક્નિકલ સપોર્ટ આપી શકીએ છીએકસ્ટમાઇઝ્ડ ફિલ્મ કેપેસિટર , Igbt માટે સ્નબર કેપેસિટર , સોલર પાવર કેપેસિટર, અમારી કંપનીની ટીમ અદ્યતન તકનીકોના ઉપયોગ સાથે દોષરહિત ગુણવત્તા ઉત્પાદનો પહોંચાડે છે જે વિશ્વભરના અમારા ગ્રાહકો દ્વારા ખૂબ જ પ્રિય અને પ્રશંસાપાત્ર છે.

મેડિકલ ઇમેજિંગ માટે વપરાયેલ સૌથી સસ્તી કિંમતનું ફિલ્મ કેપેસિટર - આઇજીબીટી પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ એપ્લિકેશન્સ માટે ઉચ્ચ પીક વર્તમાન સ્નબર ફિલ્મ કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ ડેટા

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ.ઓપરેટિંગ તાપમાન.,ટોચ,મહત્તમ: +105℃ ઉચ્ચ શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચી શ્રેણી તાપમાન: -40℃
ક્ષમતા શ્રેણી	0.1μF～5.6μF
રેટ કરેલ વોલ્ટેજ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરવો	1.5Un DC/10S
વિસર્જન પરિબળ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S પર)
હડતાલ પ્રવાહનો સામનો કરો	ડેટાશીટ જુઓ
જ્યોત મંદતા	UL94V-0
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC61071;GB/T17702;

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ઉત્પાદન વિગતો ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

હંમેશા ગ્રાહક લક્ષી, અને તે અમારું અંતિમ લક્ષ્ય છે કે માત્ર સૌથી વિશ્વસનીય, વિશ્વાસપાત્ર અને પ્રમાણિક સપ્લાયર જ નહીં, પરંતુ મેડિકલ ઇમેજિંગ માટે ઉપયોગમાં લેવાતા સસ્તી કિંમતના ફિલ્મ કેપેસિટર માટે અમારા ગ્રાહકો માટે ભાગીદાર પણ છે - IGBT પાવર માટે ઉચ્ચ પીક વર્તમાન સ્નબર ફિલ્મ કેપેસિટર ડિઝાઇન. ઇલેક્ટ્રોનિક્સ એપ્લિકેશન્સ – CRE , ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: રોટરડેમ, ઈરાન, હેમ્બર્ગ, અમે અમારી વિકાસ વ્યૂહરચનાનો બીજો તબક્કો શરૂ કરીશું.અમારી કંપની "વાજબી કિંમતો, કાર્યક્ષમ ઉત્પાદન સમય અને સારી વેચાણ પછીની સેવા" ને અમારા સિદ્ધાંત તરીકે માને છે.જો તમે અમારા કોઈપણ ઉત્પાદનો અને ઉકેલોમાં રસ ધરાવો છો અથવા કસ્ટમ ઓર્ડરની ચર્ચા કરવા માંગતા હો, તો ખાતરી કરો કે તમે અમારો સંપર્ક કરવા માટે નિઃસંકોચ અનુભવો છો.અમે નજીકના ભવિષ્યમાં વિશ્વભરના નવા ગ્રાહકો સાથે સફળ વ્યવસાયિક સંબંધો બનાવવાની રાહ જોઈ રહ્યા છીએ.

Eps એપ્લિકેશન માટે એસી ફિલ્ટર

સેલ પ્રોલિફરરેટર માટે કેપેસિટર

પાવર ફેક્ટર કરેક્શન માટે કેપેસિટર

વિન્ડ પાવર જનરેટર માટે કેપેસિટર

બેટરી ચાર્જિંગ સિસ્ટમ્સ માટે ડીસી કેપેસિટર

ડીસી લિંક ઉલ ફિલ્મ કેપેસિટર

હાઇ પાવર ઓટોમોટિવ એપ્લિકેશન માટે ફિલ્મ કેપેસિટર

ઇન્વર્ટર આઉટપુટ એસી ફિલ્ટર કેપેસિટર

વ્યવસાયિક કેપેસિટર સોલ્યુશન

સ્નબર ફિલ્મ કેપેસિટર

આશા છે કે કંપની "ગુણવત્તા, કાર્યક્ષમતા, નવીનતા અને અખંડિતતા" ની એન્ટરપ્રાઇઝ ભાવનાને વળગી રહી શકે છે, તે ભવિષ્યમાં વધુ સારી અને વધુ સારી હશે.

ઉરુગ્વે તરફથી ઈલા દ્વારા - 2017.10.25 15:53

અમે એક નાની કંપની હોવા છતાં, અમે સન્માન પણ કરીએ છીએ.વિશ્વસનીય ગુણવત્તા, નિષ્ઠાવાન સેવા અને સારી ક્રેડિટ, અમે તમારી સાથે કામ કરવા માટે સક્ષમ બનવા માટે સન્માનિત છીએ!

જોહાનિસબર્ગથી ડાના દ્વારા - 2017.02.18 15:54