ચાઈનીઝ હોલસેલ Pcb માઉન્ટેડ ફિલ્મ કેપેસિટર - હાઈ પાવર કન્વર્ટરમાં હાઈ-એનર્જી ડેન્સિટી પાવર કેપેસિટર - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

અમે "ગુણવત્તા નોંધપાત્ર છે, કંપની સર્વોચ્ચ છે, નામ પ્રથમ છે" ના મેનેજમેન્ટ સિદ્ધાંતને અનુસરીએ છીએ અને નિષ્ઠાપૂર્વક તમામ ગ્રાહકો સાથે સફળતાનું સર્જન અને શેર કરીશું.મેડિકલ ઇમેજિંગ માટે વપરાયેલ ફિલ્મ કેપેસિટર , ઔદ્યોગિક ઇન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર , નવીન એનર્જી સ્ટોરેજ ફિલ્મ કેપેસિટર્સ, જો શક્ય હોય તો, તમારી જરૂરિયાતોને વિગતવાર સૂચિ સાથે મોકલવાની ખાતરી કરો, જેમાં તમને જોઈતી શૈલી/વસ્તુ અને જથ્થાનો સમાવેશ થાય છે.ત્યારપછી અમે તમને અમારી સૌથી મોટી કિંમત રેન્જ પહોંચાડીશું.

ચાઈનીઝ હોલસેલ Pcb માઉન્ટેડ ફિલ્મ કેપેસિટર - હાઈ પાવર કન્વર્ટરમાં હાઈ-એનર્જી ડેન્સિટી પાવર કેપેસિટર - CRE વિગતો:

DKMJ-S શ્રેણી

મેટલાઇઝ્ડ પોલીપ્રોપીલીન કેપેસિટર્સ, ડ્રાય સોલ્યુશન, ડીસી ફિલ્ટર્સ એપ્લિકેશન માટે.ઉચ્ચ ઉર્જા ઘનતા, ઉચ્ચ રેટેડ વોલ્ટેજ અને ઉચ્ચ લહેર પ્રવાહને લીધે, તેઓ વધારાના શ્રેણી જોડાણો વિના સરળતાથી ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટરને બદલી શકે છે.

ટેકનિકલ ડેટા

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ.ઓપરેટિંગ તાપમાન.,ટોચ,મહત્તમ: + 70℃ઉચ્ચ શ્રેણીનું તાપમાન: +60℃ નીચી શ્રેણી તાપમાન: -40℃
ક્ષમતા શ્રેણી	100μF～20000μF
અન/રેટેડ વોલ્ટેજ અન	600V.DC～4000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરવો	વીટી-ટી	1.5Un DC/60S
	Vt-c	1000+2×Un/√2 （V.AC） 60S(min 3000 V.AC)
ઓવર વોલ્ટેજ	1.1Un(ઓન-લોડ-ડ્યુરનું 30%.)
	1.15Un(30 મિનિટ/દિવસ)
	1.2Un(5 મિનિટ/દિવસ)
	1.3Un(1 મિનિટ/દિવસ)
	1.5Un (દર વખતે 100ms, જીવનકાળ દરમિયાન 1000 વખત)
વિસર્જન પરિબળ	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
ESL	~150 nH
જ્યોત મંદતા	UL94V-0
મહત્તમ ઊંચાઈ	2000 મી
	જ્યારે ઊંચાઈ 2000m થી 5000m ની નીચે હોય, ત્યારે ઘટાડેલી રકમનો ઉપયોગ ધ્યાનમાં લેવો જરૂરી છે. (1000m ના દરેક વધારા માટે, વોલ્ટેજ અને વર્તમાન 10% ઘટશે)
આયુષ્ય	100000h(અન; Θહોટસ્પોટ ≤70 °C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC 61071 ;IEC 61881;

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 800V.DC Us 1200V Ur 200V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
4000	340	125	190	5	20.0	120	1.1	0.9	17.6
8000	340	125	350	4	32.0	180	0.72	0.6	31.2
6000	420	125	245	5	30.0	150	0.95	0.7	26.4
10000	420	125	360	4	40.0	200	0.72	0.5	39.2
12000	420	235	245	4	48.0	250	0.9	0.3	49.6
20000	420	235	360	3	60.0	300	0.6	0.3	73.6
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1200V.DC Us 1800V Ur 300V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
2500	340	125	190	8	20.0	120	1.1	0.9	17.6
3300 છે	340	125	245	8	26.4	150	0.95	0.7	22.4
5000	420	125	300	7	35.0	180	0.8	0.6	32.8
7500	420	125	430	5.5	41.3	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	190	8	40.0	200	1.1	0.3	32.8
10000	340	235	350	6	60.0	250	0.8	0.3	58.4
5000	420	235	175	8	40.0	200	1	0.4	36
7500	420	235	245	7	52.5	250	0.9	0.3	49.6
10000	420	235	300	7	70.0	250	0.8	0.3	61.6
15000	420	235	430	5	75.0	300	0.6	0.3	84
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1500V.DC Us 2250V Ur 450V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
1200	340	125	190	10	12.0	120	1.1	0.9	17.6
3000	340	125	420	8	24.0	180	0.66	0.7	37.6
2000	420	125	245	10	20.0	150	0.95	0.7	26.4
4000	420	125	430	8	32.0	200	0.66	0.6	44.8
5000	340	235	350	8	40.0	250	0.8	0.3	58.4
4000	420	235	245	10	40.0	250	0.9	0.3	49.6
8000	420	235	430	8	64.0	300	0.6	0.3	84
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 2000V.DC Us 3000V Ur 600V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
1000	340	125	245	12	12.0	150	0.95	0.7	22.4
1500	340	125	350	10	15.0	180	0.72	0.6	31.2
2000	420	125	360	10	20.0	200	0.72	0.5	39.2
2400	420	125	430	9	21.6	200	0.66	0.6	44.8
3200 છે	340	235	350	10	32.0	250	0.8	0.3	46.4
4000	420	235	360	10	40.0	280	0.7	0.3	58.4
4800	420	235	430	9	43.2	300	0.6	0.3	67.2
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 2200V.DC Us 3300V Ur 600V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) મહત્તમ	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
2000	420	235	245	12	24	150	0.9	0.740740741	40
2750	420	235	300	10	27.5	200	0.8	0.46875	49.6
3500	420	235	360	10	35	200	0.7	0.535714286	58.4
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 3000V.DC Us 4500V Ur 800V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) મહત્તમ	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
1050	420	235	245	20	21	150	0.9	0.740740741	40
1400	420	235	300	15	21	200	0.8	0.46875	49.6
1800	420	235	360	15	27	200	0.7	0.535714286	58.4
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) મહત્તમ	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
600	420	235	245	20	12	150	0.9	0.740740741	40
800	420	235	300	20	16	200	0.8	0.46875	49.6
1000	420	235	360	20	20	200	0.7	0.535714286	58.4
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 2800V.DC Us 4200V Ur 800V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
2×1000	560	190	310	20	2×20	2×350	1	0.2	60
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 3200V.DC Us 4800V Ur 900V
Cn (μF)	W (mm)	T (mm)	H (mm)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	વજન (કિલો)
2×1200	340	175	950	15	2×18	2×200	1.0	0.5	95

ઉત્પાદન વિગતો ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમે ચીજવસ્તુઓના સંચાલન અને QC પદ્ધતિને વધારવા પર પણ ધ્યાન કેન્દ્રિત કર્યું છે જેથી અમે ચાઈનીઝ જથ્થાબંધ પીસીબી માઉન્ટેડ ફિલ્મ કેપેસિટર - હાઈ પાવર કન્વર્ટરમાં હાઈ-એનર્જી ડેન્સિટી પાવર કેપેસિટર - CRE, ઉત્પાદન માટે ઉગ્ર-સ્પર્ધાત્મક એન્ટરપ્રાઈઝની અંદર જબરદસ્ત ધાર જાળવી શકીએ. સમગ્ર વિશ્વમાં પુરવઠો, જેમ કે: બ્રાઝિલિયા, વેનેઝુએલા, ઇઝરાયેલ, મજબૂત ઇન્ફ્રાસ્ટ્રક્ચર કોઈપણ સંસ્થાની જરૂરિયાત છે.અમે એક મજબૂત માળખાકીય સુવિધા સાથે સમર્થિત છીએ જે અમને અમારા ઉત્પાદનોનું ઉત્પાદન, સંગ્રહ, ગુણવત્તા તપાસવા અને વિશ્વભરમાં મોકલવામાં સક્ષમ બનાવે છે.સરળ કાર્યપ્રવાહ જાળવવા માટે, અમે અમારા ઈન્ફ્રાસ્ટ્રક્ચરને સંખ્યાબંધ વિભાગોમાં વિભાજીત કર્યા છે.આ તમામ વિભાગો અદ્યતન સાધનો, આધુનિક મશીનો અને સાધનો સાથે કાર્યરત છે.જેના કારણે અમે ગુણવત્તા સાથે સમાધાન કર્યા વિના જંગી ઉત્પાદન કરી શકીએ છીએ.

ડ્રાય ટાઇપ ફિલ્મ કેપેસિટર ફેક્ટરી

ડ્રાય ટાઇપ ફિલ્મ કેપેસિટર સોલ્યુશન

ઇવ કેપેસિટર