હાઇ પાવર્ડ થાઇરિસ્ટર માટે ફેક્ટરીએ બનાવેલ હોટ-સેલ સ્નબર - હાઇ-પાવર એપ્લીકેશન માટે ઉચ્ચ-વર્ગના IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE

હાઇ પાવર્ડ થાઇરિસ્ટર માટે ફેક્ટરીએ બનાવેલ હોટ-સેલ સ્નબર - હાઇ-પાવર એપ્લીકેશન માટે હાઇ-ક્લાસ IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE ફીચર્ડ ઇમેજ

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

અમારી સુસજ્જ સવલતો અને અસાધારણ સારી ગુણવત્તા ઉત્પાદનના તમામ તબક્કામાં મેનેજ કરવા માટે અમને સંપૂર્ણ દુકાનદારોના સંતોષની ખાતરી આપવા સક્ષમ બનાવે છે.વેલ્ડિંગ ઇન્વર્ટર ડીસી લિંક કેપેસિટર , Abb ઇન્વર્ટર માટે ફિલ્મ કેપેસિટર , ઇલેક્ટ્રોનિક કેપેસિટર, તેથી, અમે વિવિધ ગ્રાહકો પાસેથી વિવિધ પૂછપરછ પૂરી કરી શકીએ છીએ.અમારા ઉત્પાદનોમાંથી વધુ માહિતી તપાસવા માટે કૃપા કરીને અમારી વેબસાઇટ શોધો.

હાઇ પાવર્ડ થાઇરિસ્ટર માટે ફેક્ટરીએ બનાવેલ હોટ-સેલ સ્નબર - હાઇ-પાવર એપ્લીકેશન માટે હાઇ-ક્લાસ IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ ડેટા

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ.ઓપરેટિંગ તાપમાન.,ટોચ,મહત્તમ: +105℃ ઉચ્ચ શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચી શ્રેણી તાપમાન: -40℃
ક્ષમતા શ્રેણી	0.1μF～5.6μF
રેટ કરેલ વોલ્ટેજ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J);±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરવો	1.5Un DC/10S
વિસર્જન પરિબળ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S પર)
હડતાલ પ્રવાહનો સામનો કરો	ડેટાશીટ જુઓ
જ્યોત મંદતા	UL94V-0
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC61071;GB/T17702;

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ઉત્પાદન વિગતો ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમારો હેતુ સામાન્ય રીતે અમારા ખરીદદારોને સુવર્ણ પ્રદાતા, ઉત્તમ દર અને ઉચ્ચ શક્તિવાળા થાઇરિસ્ટર માટે ફેક્ટરીથી બનેલા હોટ-સેલ સ્નબર માટે સારી ગુણવત્તા ઓફર કરીને સંતુષ્ટ કરવાનો છે - ઉચ્ચ પાવર એપ્લિકેશન માટે ઉચ્ચ-વર્ગના IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE , ઉત્પાદન બધાને સપ્લાય કરશે. સમગ્ર વિશ્વમાં, જેમ કે: મોનાકો, પોર્ટુગલ, મોન્ટ્રીયલ, અમારી પાસે 20 થી વધુ દેશોના ગ્રાહકો છે અને અમારી પ્રતિષ્ઠાને અમારા માનનીય ગ્રાહકો દ્વારા માન્યતા આપવામાં આવી છે.નિરંતર સુધારણા અને 0% ઉણપ માટે પ્રયત્નશીલ એ અમારી બે મુખ્ય ગુણવત્તા નીતિઓ છે.જો તમને કંઈપણની જરૂર હોય, તો અમારો સંપર્ક કરવામાં અચકાશો નહીં.

રેલ ટ્રેક્શન પાવર સિસ્ટમ માટે વપરાયેલ Ac ફિલ્ટર

ઔદ્યોગિક ઇન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર

ડ્રાય ટાઇપ ફિલ્મ કેપેસિટર

ફિલ્મ કેપેસિટર ફેક્ટરી

ફિલ્મ કેપેસિટર ઉત્પાદક

વૈશ્વિક કેપેસિટર સપ્લાયર

ઉચ્ચ ઊર્જા સંગ્રહ કેપેસિટર્સ

Igbt સ્નબર