હાઇ પાવર એપ્લિકેશન્સ માટે હાઇ-ક્લાસ IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

અમારી પાસે સેલ્સ સ્ટાફ, સ્ટાઇલ અને ડિઝાઇન સ્ટાફ, ટેકનિકલ ક્રૂ, QC ટીમ અને પેકેજ વર્કફોર્સ છે. અમારી પાસે દરેક સિસ્ટમ માટે કડક ઉત્તમ નિયંત્રણ પ્રક્રિયાઓ છે. ઉપરાંત, અમારા બધા કામદારો પ્રિન્ટિંગ ક્ષેત્રમાં અનુભવી છે.એમકેપી કન્ડેન્સેડોર , કસ્ટમ-ડિઝાઇન કરેલ એસી કેપેસિટર , એસી ફિલ્ટર કેપેસિટર બેંક, અમે દરેક નવા અને જૂના ગ્રાહકો માટે શ્રેષ્ઠ પર્યાવરણને અનુકૂળ ઉકેલો સાથે શ્રેષ્ઠ ગુણવત્તા, સંભવતઃ સૌથી વર્તમાન બજાર આક્રમક દર પ્રદાન કરીશું.

હાઇ પાવર એપ્લિકેશન્સ માટે હાઇ-ક્લાસ IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ માહિતી

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: +105℃ ઉચ્ચ શ્રેણીનું તાપમાન: +85℃ નીચલા શ્રેણીનું તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૦.૧μF~૫.૬μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી~૩૦૦૦ વોલ્ટ.ડીસી
કેપ.ટોલ	±5%(J);±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	૧.૫ યુનિટ ડીસી/૧૦ એસ
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર)
સ્ટ્રાઇક કરંટનો સામનો કરો	ડેટાશીટ જુઓ
જ્યોત મંદતા	UL94V-0 નો પરિચય
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC61071;GB/T17702;

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વોલ્ટેજ	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A)
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૫૦૦	૨૩૫	8
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	25	૪૮૦	૩૨૬.૪	10
1	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	24	૪૫૦	૪૫૦	12
૧.૫	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	25	૪૩૦	૬૪૫	5
2	૪૨.૫	33	૩૫.૫	6	24	૪૨૦	૮૪૦	15
૨.૫	૪૨.૫	33	45	6	23	૪૦૦	૧૦૦૦	18
3	૪૨.૫	33	45	૫.૫	22	૩૮૦	૧૧૪૦	20
3	૫૭.૫	30	45	5	26	૩૫૦	૧૦૫૦	22
૩.૫	૪૨.૫	33	45	5	23	૩૫૦	૧૨૨૫	25
૩.૫	૫૭.૫	30	45	6	25	૩૦૦	૧૦૫૦	22
૪.૭	૫૭.૫	35	50	5	28	૨૮૦	૧૩૧૬	25
૫.૬	૫૭.૫	38	54	4	30	૨૫૦	૧૪૦૦	25
6	૫૭.૫	38	54	૩.૫	33	૨૩૦	૧૩૮૦	28
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	32	૨૨૦	૧૪૯૬	32
8	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	30	૨૦૦	૧૬૦૦	33
વોલ્ટેજ	૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	25	૧૦૦૦	૪૭૦	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	25	૮૦૦	૫૪૪	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	24	૮૦૦	૮૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	24	૭૦૦	૧૦૫૦	15
2	૪૨.૫	33	45	5	22	૭૦૦	૧૪૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	30	45	5	30	૬૦૦	૧૫૦૦	22
3	૫૭.૫	35	50	4	30	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	35	50	૩.૫	28	૫૫૦	૧૮૧૫	25
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	28	૫૦૦	૧૭૫૦	25
4	૫૭.૫	38	54	૩.૨	26	૫૦૦	૨૦૦૦	28
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	3	25	૪૨૦	૧૯૭૪	30
૫.૬	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	24	૪૦૦	૨૨૪૦	32
વોલ્ટેજ	અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	24	૧૨૦૦	૫૬૪	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	23	૧૧૦૦	૭૪૮	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	22	૮૦૦	૮૦૦	14
૧.૫	૪૨.૫	33	45	5	20	૮૦૦	૧૨૦૦	15
2	૫૭.૫	30	45	4	30	૭૫૦	૧૫૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૭૦૦	૧૭૫૦	25
3	૫૭.૫	35	50	4	27	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	4	27	૫૫૦	૧૮૧૫	28
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	28
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૪૫૦	૧૮૦૦	30
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	23	૪૨૦	૧૯૭૪	32
વોલ્ટેજ	અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૩૩	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૧૩૦૦	૪૨૯	9
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	24	૧૩૦૦	૬૧૧	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	8	23	૧૩૦૦	૮૮૪	12
1	૪૨.૫	33	45	7	22	૧૨૦૦	૧૨૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	22	૧૨૦૦	૧૮૦૦	18
૧.૫	૫૭.૫	30	45	5	31	૧૨૦૦	૧૮૦૦	20
2	૫૭.૫	30	45	5	30	૧૧૦૦	૨૨૦૦	22
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૧૧૦૦	૨૭૫૦	25
3	૫૭.૫	38	54	4	27	૭૦૦	૨૧૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	૩.૮	26	૬૦૦	૧૯૮૦	28
૩.૫	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	30
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	25	૪૫૦	૧૮૦૦	32
વોલ્ટેજ	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૨૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	15	25	૧૫૦૦	૩૩૦	10
૦.૩૩	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	12	24	૧૫૦૦	૪૯૫	12
૦.૪૭	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	11	23	૧૪૦૦	૬૫૮	15
૦.૬૮	૪૨.૫	33	45	8	22	૧૨૦૦	૮૧૬	18
૦.૬૮	૫૭.૫	30	45	7	30	૧૧૦૦	૭૪૮	20
૦.૮૨	૪૨.૫	33	45	7	28	૧૨૦૦	૯૮૪	22
1	૫૭.૫	30	45	6	28	૧૧૦૦	૧૧૦૦	25
૧.૫	૫૭.૫	35	50	5	25	૧૦૦૦	૧૫૦૦	28
2	૫૭.૫	38	54	5	24	૮૦૦	૧૬૦૦	28
૨.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	4	23	૭૦૦	૧૫૪૦	32
વોલ્ટેજ	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૧૫	૪૨.૫	33	45	18	28	૨૫૦૦	૩૭૫	25
૦.૨૨	૪૨.૫	33	45	15	27	૨૨૦૦	૪૮૪	28
૦.૨૨	૫૭.૫	35	50	15	25	૨૦૦૦	૩૩૦	20
૦.૩૩	૫૭.૫	35	50	12	24	૧૮૦૦	૪૯૫	20
૦.૪૭	૫૭.૫	38	54	11	23	૧૬૦૦	૭૫૨	22
૦.૬૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	8	22	૧૫૦૦	૧૦૨૦	28

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમારા માલસામાનને સામાન્ય રીતે અંતિમ વપરાશકર્તાઓ દ્વારા ઓળખવામાં આવે છે અને વિશ્વસનીય ગણવામાં આવે છે અને ફેક્ટરી દ્વારા બનાવેલ હોટ-સેલ સ્નબર ફોર હાઇ પાવર થાઇરિસ્ટર - હાઇ પાવર એપ્લિકેશન્સ માટે ઉચ્ચ-વર્ગના IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE, આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરવામાં આવશે, જેમ કે: મોરોક્કો, અલ સાલ્વાડોર, લેસ્ટર, "સારી ગુણવત્તા અને વાજબી કિંમત" અમારા વ્યવસાયિક સિદ્ધાંતો છે. જો તમને અમારા ઉત્પાદનોમાં રસ હોય અથવા કોઈ પ્રશ્નો હોય, તો કૃપા કરીને અમારો સંપર્ક કરવા માટે નિઃસંકોચ રહો. અમે નજીકના ભવિષ્યમાં તમારી સાથે સહકારી સંબંધો સ્થાપિત કરવાની આશા રાખીએ છીએ.

રેલ ટ્રેક્શન પાવર સિસ્ટમ માટે વપરાતું એસી ફિલ્ટર

ઔદ્યોગિક ઇન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર

ડ્રાય ટાઇપ ફિલ્મ કેપેસિટર

ફિલ્મ કેપેસિટર ફેક્ટરી

ફિલ્મ કેપેસિટર ઉત્પાદક

ગ્લોબલ કેપેસિટર સપ્લાયર

ઉચ્ચ ઉર્જા સંગ્રહ કેપેસિટર્સ

આઇજીબીટી સ્નબર

મધ્યમ આવર્તન ફર્નેસ રેઝોનન્ટ કેપેસિટર

ડીસી લિંક માટે પાવર કેપેસિટર

કંપની "વૈજ્ઞાનિક સંચાલન, ઉચ્ચ ગુણવત્તા અને કાર્યક્ષમતા પ્રાધાન્યતા, ગ્રાહક સર્વોચ્ચ" ના સંચાલન ખ્યાલને વળગી રહે છે, અમે હંમેશા વ્યવસાયિક સહયોગ જાળવી રાખ્યો છે. તમારી સાથે કામ કરો, અમને સરળ લાગે છે!