IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું ઓછું નુકસાન ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

નવીનતા, ઉત્તમ અને વિશ્વસનીયતા અમારી કંપનીના મુખ્ય મૂલ્યો છે. આ સિદ્ધાંતો આજે પહેલા કરતાં વધુ આંતરરાષ્ટ્રીય સ્તરે સક્રિય મધ્યમ કદના વ્યવસાય તરીકે અમારી સફળતાનો આધાર બનાવે છેઓટોમોટિવ એપ્લિકેશન માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર , પાવર કન્વર્ટરમાં ડીસી-લિંક કેપેસિટર્સ , હાઇ વોલ્ટેજ પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ કેપેસિટર, અમે ગુણવત્તા અને ગ્રાહક સંતોષને પ્રાથમિકતા આપીએ છીએ અને આ માટે અમે કડક ગુણવત્તા નિયંત્રણ પગલાંનું પાલન કરીએ છીએ. અમારી પાસે ઇન-હાઉસ પરીક્ષણ સુવિધાઓ છે જ્યાં અમારા ઉત્પાદનોનું દરેક પાસાં પર વિવિધ પ્રક્રિયા તબક્કામાં પરીક્ષણ કરવામાં આવે છે. નવીનતમ તકનીકોના માલિકી હેઠળ, અમે અમારા ગ્રાહકોને કસ્ટમાઇઝ્ડ ઉત્પાદન સુવિધા સાથે સુવિધા આપીએ છીએ.

Igbt માટે સ્નબર કેપેસિટર બનાવતી ફેક્ટરી - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મનું ઓછું નુકસાનવાળું ડાઇલેક્ટ્રિક સ્નબર કેપેસિટર - CRE વિગતો:

SMJ-P શ્રેણી

રેટેડ વોલ્ટેજ રેન્જ: 1000 VDC થી 2000 VDC
કેપેસીટન્સ રેન્જ: 0.1 uf થી 3.0 uf
માઉન્ટિંગ પિચ: 22.5 મીમી થી 48 મીમી
બાંધકામ : મેટલાઇઝ્ડ પોલીપ્રોપીલીન ડાઇલેક્ટ્રિક આંતરિક શ્રેણી જોડાણ
એપ્લિકેશન: IGBT પ્રોટેક્શન, રેઝોનન્સ ટેન્ક સર્કિટ્સ

સ્વ-હીલિંગ, ડ્રાય-ટાઇપ, સ્નબર કેપેસિટર તત્વો ખાસ પ્રોફાઇલવાળી, વેવ કટ મેટલાઇઝ્ડ પીપી ફિલ્મનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે જે ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ, ઉચ્ચ ભંગાણ પ્રતિકાર અને ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા સુનિશ્ચિત કરે છે. વધુ પડતા દબાણથી ડિસ્કનેક્શન જરૂરી માનવામાં આવતું નથી. કેપેસિટર ટોચ સ્વ-બુઝાવવાની ઇકો-ફ્રેન્ડલી ઇપોક્સીથી સીલ કરવામાં આવે છે. ખાસ ડિઝાઇન ખૂબ જ ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ સુનિશ્ચિત કરે છે.

IMG_0397.HEIC દ્વારા વધુ

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વોલ્ટેજ	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A)
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૫૦૦	૨૩૫	8
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	25	૪૮૦	૩૨૬.૪	10
1	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	24	૪૫૦	૪૫૦	12
૧.૫	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	25	૪૩૦	૬૪૫	5
2	૪૨.૫	33	૩૫.૫	6	24	૪૨૦	૮૪૦	15
૨.૫	૪૨.૫	33	45	6	23	૪૦૦	૧૦૦૦	18
3	૪૨.૫	33	45	૫.૫	22	૩૮૦	૧૧૪૦	20
3	૫૭.૫	30	45	5	26	૩૫૦	૧૦૫૦	22
૩.૫	૪૨.૫	33	45	5	23	૩૫૦	૧૨૨૫	25
૩.૫	૫૭.૫	30	45	6	25	૩૦૦	૧૦૫૦	22
૪.૭	૫૭.૫	35	50	5	28	૨૮૦	૧૩૧૬	25
૫.૬	૫૭.૫	38	54	4	30	૨૫૦	૧૪૦૦	25
6	૫૭.૫	38	54	૩.૫	33	૨૩૦	૧૩૮૦	28
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	32	૨૨૦	૧૪૯૬	32
8	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	30	૨૦૦	૧૬૦૦	33

વોલ્ટેજ	૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	25	૧૦૦૦	૪૭૦	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	25	૮૦૦	૫૪૪	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	24	૮૦૦	૮૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	24	૭૦૦	૧૦૫૦	15
2	૪૨.૫	33	45	5	22	૭૦૦	૧૪૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	30	45	5	30	૬૦૦	૧૫૦૦	22
3	૫૭.૫	35	50	4	30	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	35	50	૩.૫	28	૫૫૦	૧૮૧૫	25
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	28	૫૦૦	૧૭૫૦	25
4	૫૭.૫	38	54	૩.૨	26	૫૦૦	૨૦૦૦	28
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	3	25	૪૨૦	૧૯૭૪	30
૫.૬	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	24	૪૦૦	૨૨૪૦	32

વોલ્ટેજ	અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	24	૧૨૦૦	૫૬૪	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	23	૧૧૦૦	૭૪૮	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	22	૮૦૦	૮૦૦	14
૧.૫	૪૨.૫	33	45	5	20	૮૦૦	૧૨૦૦	15
2	૫૭.૫	30	45	4	30	૭૫૦	૧૫૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૭૦૦	૧૭૫૦	25
3	૫૭.૫	35	50	4	27	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	4	27	૫૫૦	૧૮૧૫	28
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	28
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૪૫૦	૧૮૦૦	30
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	23	૪૨૦	૧૯૭૪	32

વોલ્ટેજ	અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૩૩	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૧૩૦૦	૪૨૯	9
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	24	૧૩૦૦	૬૧૧	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	8	23	૧૩૦૦	૮૮૪	12
1	૪૨.૫	33	45	7	22	૧૨૦૦	૧૨૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	22	૧૨૦૦	૧૮૦૦	18
૧.૫	૫૭.૫	30	45	5	31	૧૨૦૦	૧૮૦૦	20
2	૫૭.૫	30	45	5	30	૧૧૦૦	૨૨૦૦	22
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૧૧૦૦	૨૭૫૦	25
3	૫૭.૫	38	54	4	27	૭૦૦	૨૧૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	૩.૮	26	૬૦૦	૧૯૮૦	28
૩.૫	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	30
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	25	૪૫૦	૧૮૦૦	32

વોલ્ટેજ	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૨૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	15	25	૧૫૦૦	૩૩૦	10
૦.૩૩	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	12	24	૧૫૦૦	૪૯૫	12
૦.૪૭	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	11	23	૧૪૦૦	૬૫૮	15
૦.૬૮	૪૨.૫	33	45	8	22	૧૨૦૦	૮૧૬	18
૦.૬૮	૫૭.૫	30	45	7	30	૧૧૦૦	૭૪૮	20
૦.૮૨	૪૨.૫	33	45	7	28	૧૨૦૦	૯૮૪	22
1	૫૭.૫	30	45	6	28	૧૧૦૦	૧૧૦૦	25
૧.૫	૫૭.૫	35	50	5	25	૧૦૦૦	૧૫૦૦	28
2	૫૭.૫	38	54	5	24	૮૦૦	૧૬૦૦	28
૨.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	4	23	૭૦૦	૧૫૪૦	32

વોલ્ટેજ	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૧૫	૪૨.૫	33	45	18	28	૨૫૦૦	૩૭૫	25
૦.૨૨	૪૨.૫	33	45	15	27	૨૨૦૦	૪૮૪	28
૦.૨૨	૫૭.૫	35	50	15	25	૨૦૦૦	૩૩૦	20
૦.૩૩	૫૭.૫	35	50	12	24	૧૮૦૦	૪૯૫	20
૦.૪૭	૫૭.૫	38	54	11	23	૧૬૦૦	૭૫૨	22
૦.૬૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	8	22	૧૫૦૦	૧૦૨૦	28

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમે "ગ્રાહક-મૈત્રીપૂર્ણ, ગુણવત્તા-લક્ષી, સંકલિત, નવીન" ને ઉદ્દેશ્યો તરીકે લઈએ છીએ. "સત્ય અને પ્રામાણિકતા" એ Igbt માટે ફેક્ટરી મેકિંગ સ્નબર કેપેસિટર માટે અમારું સંચાલન આદર્શ છે - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલિન ફિલ્મનું ઓછું નુકસાન ડાઇલેક્ટ્રિક સ્નબર કેપેસિટર - CRE, આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: ઘાના, હૈતી, બ્રાઝિલિયા, અમારા ઉત્પાદનો વપરાશકર્તાઓ દ્વારા વ્યાપકપણે ઓળખાય છે અને વિશ્વસનીય છે અને સતત બદલાતી આર્થિક અને સામાજિક જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે. ભવિષ્યના વ્યવસાયિક સંબંધો અને પરસ્પર સફળતા માટે અમારો સંપર્ક કરવા માટે અમે જીવનના તમામ ક્ષેત્રોના નવા અને જૂના ગ્રાહકોનું સ્વાગત કરીએ છીએ!

એસી ફિલ્મ કેપેસિટર બેંક

એસી પાવર સપ્લાય કેપેસિટર

કોમ્પેક્ટ ડિઝાઇન ફિલ્મ કેપેસિટર

કસ્ટમ ફિલ્મ કેપેસિટર