ફેક્ટરી જથ્થાબંધ એલ્યુમિનિયમ કેન Ac કેપેસિટર - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલિન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું લો લોસ ડાઇલેક્ટ્રિક – CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

અમારો પ્રાથમિક ઉદ્દેશ્ય હંમેશા અમારા ગ્રાહકોને ગંભીર અને જવાબદાર નાના વ્યાપારી સંબંધો પ્રદાન કરવાનો છે, તે બધા માટે વ્યક્તિગત ધ્યાન આપે છેએલ્યુમિનિયમ કેન કેપેસિટર , ડીસી-ફિલ્ટરિંગ કેપેસિટર , ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા ફિલ્મ કેપેસિટર, અમારા પ્રયત્નો સાથે, અમારી પ્રોડક્ટ્સ અને સોલ્યુશન્સે ક્લાયન્ટ્સનો વિશ્વાસ જીત્યો છે અને અહીં અને વિદેશમાં દરેક ખૂબ જ વેચાણપાત્ર છે.

ફેક્ટરી જથ્થાબંધ એલ્યુમિનિયમ કેન Ac કેપેસિટર - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલિન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું લો લોસ ડાઇલેક્ટ્રિક – CRE વિગતો:

SMJ-P શ્રેણી

રેટ કરેલ વોલ્ટેજ રેન્જ: 1000 VDC થી 2000 VDC
કેપેસિટેન્સ રેન્જ: 0.1 uf થી 3.0 uf
માઉન્ટિંગ પિચ: 22.5 mm થી 48 mm
બાંધકામ : મેટલાઇઝ્ડ પોલીપ્રોપીલીન ડાઇલેક્ટ્રિક આંતરિક શ્રેણી જોડાણ
એપ્લિકેશન: IGBT પ્રોટેક્શન, રેઝોનન્સ ટાંકી સર્કિટ

સેલ્ફ-હીલિંગ, ડ્રાય-ટાઈપ, સ્નબર કેપેસિટર એલિમેન્ટ્સ ખાસ પ્રોફાઈલ, વેવ કટ મેટલાઈઝ્ડ પીપી ફિલ્મનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે જે ઓછી સેલ્ફ-ઇન્ડક્ટન્સ, ઉચ્ચ ભંગાણ પ્રતિકાર અને ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા સુનિશ્ચિત કરે છે.ઓવર-પ્રેશર ડિસ્કનેક્શન જરૂરી માનવામાં આવતું નથી.કેપેસિટર ટોપ સ્વ-અગ્નિશામક ઇકો-ફ્રેન્ડલી ઇપોક્સી સાથે સીલ થયેલ છે.ખાસ ડિઝાઇન ખૂબ જ ઓછી સ્વ ઇન્ડક્ટન્સની ખાતરી કરે છે.

IMG_0397.HEIC

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

ઉત્પાદન વિગતો ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમારા ઉત્પાદનો લોકો દ્વારા વ્યાપકપણે ઓળખાય છે અને વિશ્વાસપાત્ર છે અને ફેક્ટરી જથ્થાબંધ એલ્યુમિનિયમ કેન એસી કેપેસિટરની નાણાકીય અને સામાજિક જરૂરિયાતોને સતત સંશોધિત કરી શકે છે - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલિન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું લો લોસ ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE , ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: UAE, હંગેરી, ચિલી, અમે સારી ગુણવત્તા પરંતુ અજેય ઓછી કિંમત અને શ્રેષ્ઠ સેવા પ્રદાન કરીએ છીએ.અમને તમારા નમૂનાઓ અને રંગ રિંગ પોસ્ટ કરવા માટે આપનું સ્વાગત છે .અમે તમારી વિનંતી અનુસાર માલનું ઉત્પાદન કરીશું.જો તમને અમે ઑફર કરીએ છીએ તે કોઈપણ ઉત્પાદનોમાં રસ હોય, તો કૃપા કરીને મેલ, ફેક્સ, ટેલિફોન અથવા ઇન્ટરનેટ દ્વારા સીધો અમારો સંપર્ક કરો.અમે સોમવારથી શનિવાર સુધી તમારા પ્રશ્નોના જવાબ આપવા માટે અહીં છીએ અને તમારી સાથે સહકારની રાહ જોઈ રહ્યા છીએ.

ખર્ચ અસરકારક ફિલ્મ કેપેસિટર

ડ્રાય ટાઇપ ફિલ્મ કેપેસિટર સોલ્યુશન

નવી એનર્જી પાવર સિસ્ટમ માટે ફિલ્મ કેપેસિટર

ફિલ્મ કેપેસિટર નવીનતાઓ

ઉચ્ચ વોલ્ટેજ ફિલ્મ કેપેસિટર

ઔદ્યોગિક ઇન્વર્ટર કેપેસિટર

નીચી ક્ષમતા નુકશાન ફિમ કેપેસિટર

પિન લીડ્સ ફિલ્મ કેપેસિટર

પાવર કન્વર્ટર કેપેસિટર

પીવી ઇન્વર્ટર કેપેસિટર

ઉત્પાદનોની ગુણવત્તા ખૂબ સારી છે, ખાસ કરીને વિગતોમાં, જોઈ શકાય છે કે કંપની ગ્રાહકના હિતને સંતોષવા માટે સક્રિય રીતે કામ કરે છે, એક સરસ સપ્લાયર છે.