IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું ઓછું નુકસાન ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

અમે સારી ગુણવત્તાવાળી ચીજવસ્તુઓ, આક્રમક કિંમત અને શ્રેષ્ઠ ખરીદદાર સહાય પૂરી પાડી શકીએ છીએ. અમારું લક્ષ્ય "તમે મુશ્કેલી સાથે અહીં આવો છો અને અમે તમને લઈ જવા માટે સ્મિત આપીએ છીએ" છે.વેલ્ડીંગ ઇન્વર્ટર ડીસી લિંક કેપેસિટર , ઓછી આવર્તન ઇન્ડક્શન ફર્નેસ કેપેસિટર , ડીસી લિંક ઉલ ફિલ્મ કેપેસિટર, અમે તમને અને તમારી કંપનીને અમારી સાથે મળીને વિકાસ કરવા અને વિશ્વવ્યાપી બજારમાં એક ચમકતું ભવિષ્ય શેર કરવા આમંત્રણ આપીએ છીએ.

IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું ઓછું નુકસાન ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE વિગતો:

SMJ-P શ્રેણી

રેટેડ વોલ્ટેજ રેન્જ: 1000 VDC થી 2000 VDC
કેપેસીટન્સ રેન્જ: 0.1 uf થી 3.0 uf
માઉન્ટિંગ પિચ: 22.5 મીમી થી 48 મીમી
બાંધકામ : મેટલાઇઝ્ડ પોલીપ્રોપીલીન ડાઇલેક્ટ્રિક આંતરિક શ્રેણી જોડાણ
એપ્લિકેશન: IGBT પ્રોટેક્શન, રેઝોનન્સ ટેન્ક સર્કિટ્સ

સ્વ-હીલિંગ, ડ્રાય-ટાઇપ, સ્નબર કેપેસિટર તત્વો ખાસ પ્રોફાઇલવાળી, વેવ કટ મેટલાઇઝ્ડ પીપી ફિલ્મનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે જે ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ, ઉચ્ચ ભંગાણ પ્રતિકાર અને ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા સુનિશ્ચિત કરે છે. વધુ પડતા દબાણથી ડિસ્કનેક્શન જરૂરી માનવામાં આવતું નથી. કેપેસિટર ટોચ સ્વ-બુઝાવવાની ઇકો-ફ્રેન્ડલી ઇપોક્સીથી સીલ કરવામાં આવે છે. ખાસ ડિઝાઇન ખૂબ જ ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ સુનિશ્ચિત કરે છે.

IMG_0397.HEIC દ્વારા વધુ

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વોલ્ટેજ	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A)
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૫૦૦	૨૩૫	8
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	25	૪૮૦	૩૨૬.૪	10
1	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	24	૪૫૦	૪૫૦	12
૧.૫	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	25	૪૩૦	૬૪૫	5
2	૪૨.૫	33	૩૫.૫	6	24	૪૨૦	૮૪૦	15
૨.૫	૪૨.૫	33	45	6	23	૪૦૦	૧૦૦૦	18
3	૪૨.૫	33	45	૫.૫	22	૩૮૦	૧૧૪૦	20
3	૫૭.૫	30	45	5	26	૩૫૦	૧૦૫૦	22
૩.૫	૪૨.૫	33	45	5	23	૩૫૦	૧૨૨૫	25
૩.૫	૫૭.૫	30	45	6	25	૩૦૦	૧૦૫૦	22
૪.૭	૫૭.૫	35	50	5	28	૨૮૦	૧૩૧૬	25
૫.૬	૫૭.૫	38	54	4	30	૨૫૦	૧૪૦૦	25
6	૫૭.૫	38	54	૩.૫	33	૨૩૦	૧૩૮૦	28
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	32	૨૨૦	૧૪૯૬	32
8	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	30	૨૦૦	૧૬૦૦	33

વોલ્ટેજ	૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	25	૧૦૦૦	૪૭૦	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	25	૮૦૦	૫૪૪	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	24	૮૦૦	૮૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	24	૭૦૦	૧૦૫૦	15
2	૪૨.૫	33	45	5	22	૭૦૦	૧૪૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	30	45	5	30	૬૦૦	૧૫૦૦	22
3	૫૭.૫	35	50	4	30	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	35	50	૩.૫	28	૫૫૦	૧૮૧૫	25
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	28	૫૦૦	૧૭૫૦	25
4	૫૭.૫	38	54	૩.૨	26	૫૦૦	૨૦૦૦	28
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	3	25	૪૨૦	૧૯૭૪	30
૫.૬	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	24	૪૦૦	૨૨૪૦	32

વોલ્ટેજ	અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	24	૧૨૦૦	૫૬૪	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	23	૧૧૦૦	૭૪૮	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	22	૮૦૦	૮૦૦	14
૧.૫	૪૨.૫	33	45	5	20	૮૦૦	૧૨૦૦	15
2	૫૭.૫	30	45	4	30	૭૫૦	૧૫૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૭૦૦	૧૭૫૦	25
3	૫૭.૫	35	50	4	27	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	4	27	૫૫૦	૧૮૧૫	28
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	28
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૪૫૦	૧૮૦૦	30
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	23	૪૨૦	૧૯૭૪	32

વોલ્ટેજ	અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૩૩	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૧૩૦૦	૪૨૯	9
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	24	૧૩૦૦	૬૧૧	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	8	23	૧૩૦૦	૮૮૪	12
1	૪૨.૫	33	45	7	22	૧૨૦૦	૧૨૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	22	૧૨૦૦	૧૮૦૦	18
૧.૫	૫૭.૫	30	45	5	31	૧૨૦૦	૧૮૦૦	20
2	૫૭.૫	30	45	5	30	૧૧૦૦	૨૨૦૦	22
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૧૧૦૦	૨૭૫૦	25
3	૫૭.૫	38	54	4	27	૭૦૦	૨૧૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	૩.૮	26	૬૦૦	૧૯૮૦	28
૩.૫	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	30
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	25	૪૫૦	૧૮૦૦	32

વોલ્ટેજ	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૨૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	15	25	૧૫૦૦	૩૩૦	10
૦.૩૩	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	12	24	૧૫૦૦	૪૯૫	12
૦.૪૭	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	11	23	૧૪૦૦	૬૫૮	15
૦.૬૮	૪૨.૫	33	45	8	22	૧૨૦૦	૮૧૬	18
૦.૬૮	૫૭.૫	30	45	7	30	૧૧૦૦	૭૪૮	20
૦.૮૨	૪૨.૫	33	45	7	28	૧૨૦૦	૯૮૪	22
1	૫૭.૫	30	45	6	28	૧૧૦૦	૧૧૦૦	25
૧.૫	૫૭.૫	35	50	5	25	૧૦૦૦	૧૫૦૦	28
2	૫૭.૫	38	54	5	24	૮૦૦	૧૬૦૦	28
૨.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	4	23	૭૦૦	૧૫૪૦	32

વોલ્ટેજ	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૧૫	૪૨.૫	33	45	18	28	૨૫૦૦	૩૭૫	25
૦.૨૨	૪૨.૫	33	45	15	27	૨૨૦૦	૪૮૪	28
૦.૨૨	૫૭.૫	35	50	15	25	૨૦૦૦	૩૩૦	20
૦.૩૩	૫૭.૫	35	50	12	24	૧૮૦૦	૪૯૫	20
૦.૪૭	૫૭.૫	38	54	11	23	૧૬૦૦	૭૫૨	22
૦.૬૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	8	22	૧૫૦૦	૧૦૨૦	28

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

નવા ગ્રાહક હોય કે જૂના ગ્રાહક, અમે ફેક્ટરી હોલસેલ એલ્યુમિનિયમ કેન એસી કેપેસિટર - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું લો લોસ ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE માટે લાંબા ગાળાના અભિવ્યક્તિ અને વિશ્વસનીય સંબંધોમાં વિશ્વાસ રાખીએ છીએ. આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: આયર્લેન્ડ, યુકે, લક્ઝમબર્ગ, ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા જનરેશન લાઇન મેનેજમેન્ટ અને ગ્રાહકોને માર્ગદર્શન આપતી કંપની પર ભાર મૂકતા, અમે અમારા ગ્રાહકોને પ્રથમ તબક્કાના ખરીદી અને ટૂંક સમયમાં સેવા કાર્ય અનુભવ પ્રદાન કરવાનો નિર્ણય લીધો છે. અમારા ગ્રાહકો સાથેના પ્રવર્તમાન ઉપયોગી સંબંધોને જાળવી રાખીને, અમે હજુ પણ અમારી પ્રોડક્ટ લિસ્ટને નવી જરૂરિયાતો પૂરી કરવા અને અમદાવાદમાં આ વ્યવસાયના નવીનતમ વલણને વળગી રહેવા માટે સમય આપીએ છીએ. અમે આંતરરાષ્ટ્રીય વેપારમાં ઘણી શક્યતાઓને સમજવા માટે મુશ્કેલીઓનો સામનો કરવા અને પરિવર્તન લાવવા માટે તૈયાર છીએ.

ખર્ચ-અસરકારક ફિલ્મ કેપેસિટર

ડ્રાય ટાઇપ ફિલ્મ કેપેસિટર સોલ્યુશન

નવી ઉર્જા પાવર સિસ્ટમ માટે ફિલ્મ કેપેસિટર

ફિલ્મ કેપેસિટર ઇનોવેશન્સ

હાઇ વોલ્ટેજ ફિલ્મ કેપેસિટર

ઔદ્યોગિક ઇન્વર્ટર કેપેસિટર

લો કેપેસીટન્સ લોસ ફિમ કેપેસીટર

પિન લીડ્સ ફિલ્મ કેપેસિટર

પાવર કન્વર્ટર કેપેસિટર

પીવી ઇન્વર્ટર કેપેસિટર

કંપની આ ઉદ્યોગ બજારમાં થતા ફેરફારો સાથે તાલમેલ રાખી શકે છે, ઉત્પાદન ઝડપથી અપડેટ થાય છે અને કિંમત સસ્તી છે, આ અમારો બીજો સહયોગ છે, તે સારો છે.

ઇટાલીથી કેરી દ્વારા - 2017.08.21 14:13

અમે હંમેશા માનીએ છીએ કે વિગતો કંપનીના ઉત્પાદનની ગુણવત્તા નક્કી કરે છે, આ સંદર્ભમાં, કંપની અમારી જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરે છે અને માલ અમારી અપેક્ષાઓ પૂર્ણ કરે છે.

જ્યોર્જિયાથી ફર્નાન્ડો દ્વારા - ૨૦૧૭.૦૨.૧૪ ૧૩:૧૯