IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું લો લોસ ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

ગ્રાહક સંતોષ પ્રાપ્ત કરવો એ અમારી પેઢીનો સારા હેતુ છે. અમે નવા અને ઉચ્ચ-ગુણવત્તાવાળા માલનું ઉત્પાદન કરવા, તમારી ખાસ જરૂરિયાતો પૂરી કરવા અને તમને પ્રી-સેલ, ઓન-સેલ અને આફ્ટર-સેલ ઉત્પાદનો અને સેવાઓ પૂરી પાડવા માટે અદ્ભુત પ્રયાસો કરીશું.એનર્જી-સ્ટોરેજ કેપેસિટર , હાર્મોનિક રેઝોનન્સ કેપેસિટર , ડીસી લિંક માટે પાવર કેપેસિટર, તમારી પૂછપરછનું સ્વાગત છે, સંપૂર્ણ હૃદયથી શ્રેષ્ઠ સેવા પૂરી પાડવામાં આવશે.

નવી હોટ પ્રોડક્ટ્સ કોમ્પેક્ટ ડિઝાઇન ફિલ્મ કેપેસિટર - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું લો લોસ ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE વિગતવાર:

SMJ-P શ્રેણી

રેટેડ વોલ્ટેજ રેન્જ: 1000 VDC થી 2000 VDC
કેપેસીટન્સ રેન્જ: 0.1 uf થી 3.0 uf
માઉન્ટિંગ પિચ: 22.5 મીમી થી 48 મીમી
બાંધકામ : મેટલાઇઝ્ડ પોલીપ્રોપીલીન ડાઇલેક્ટ્રિક આંતરિક શ્રેણી જોડાણ
એપ્લિકેશન: IGBT પ્રોટેક્શન, રેઝોનન્સ ટેન્ક સર્કિટ્સ

સ્વ-હીલિંગ, ડ્રાય-ટાઇપ, સ્નબર કેપેસિટર તત્વો ખાસ પ્રોફાઇલવાળી, વેવ કટ મેટલાઇઝ્ડ પીપી ફિલ્મનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે જે ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ, ઉચ્ચ ભંગાણ પ્રતિકાર અને ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા સુનિશ્ચિત કરે છે. વધુ પડતા દબાણથી ડિસ્કનેક્શન જરૂરી માનવામાં આવતું નથી. કેપેસિટર ટોચ સ્વ-બુઝાવવાની ઇકો-ફ્રેન્ડલી ઇપોક્સીથી સીલ કરવામાં આવે છે. ખાસ ડિઝાઇન ખૂબ જ ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ સુનિશ્ચિત કરે છે.

IMG_0397.HEIC દ્વારા વધુ

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વોલ્ટેજ	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A)
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૫૦૦	૨૩૫	8
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	25	૪૮૦	૩૨૬.૪	10
1	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	24	૪૫૦	૪૫૦	12
૧.૫	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	25	૪૩૦	૬૪૫	5
2	૪૨.૫	33	૩૫.૫	6	24	૪૨૦	૮૪૦	15
૨.૫	૪૨.૫	33	45	6	23	૪૦૦	૧૦૦૦	18
3	૪૨.૫	33	45	૫.૫	22	૩૮૦	૧૧૪૦	20
3	૫૭.૫	30	45	5	26	૩૫૦	૧૦૫૦	22
૩.૫	૪૨.૫	33	45	5	23	૩૫૦	૧૨૨૫	25
૩.૫	૫૭.૫	30	45	6	25	૩૦૦	૧૦૫૦	22
૪.૭	૫૭.૫	35	50	5	28	૨૮૦	૧૩૧૬	25
૫.૬	૫૭.૫	38	54	4	30	૨૫૦	૧૪૦૦	25
6	૫૭.૫	38	54	૩.૫	33	૨૩૦	૧૩૮૦	28
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	32	૨૨૦	૧૪૯૬	32
8	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	30	૨૦૦	૧૬૦૦	33

વોલ્ટેજ	૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	25	૧૦૦૦	૪૭૦	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	25	૮૦૦	૫૪૪	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	24	૮૦૦	૮૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	24	૭૦૦	૧૦૫૦	15
2	૪૨.૫	33	45	5	22	૭૦૦	૧૪૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	30	45	5	30	૬૦૦	૧૫૦૦	22
3	૫૭.૫	35	50	4	30	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	35	50	૩.૫	28	૫૫૦	૧૮૧૫	25
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	28	૫૦૦	૧૭૫૦	25
4	૫૭.૫	38	54	૩.૨	26	૫૦૦	૨૦૦૦	28
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	3	25	૪૨૦	૧૯૭૪	30
૫.૬	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	24	૪૦૦	૨૨૪૦	32

વોલ્ટેજ	અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	24	૧૨૦૦	૫૬૪	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	23	૧૧૦૦	૭૪૮	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	22	૮૦૦	૮૦૦	14
૧.૫	૪૨.૫	33	45	5	20	૮૦૦	૧૨૦૦	15
2	૫૭.૫	30	45	4	30	૭૫૦	૧૫૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૭૦૦	૧૭૫૦	25
3	૫૭.૫	35	50	4	27	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	4	27	૫૫૦	૧૮૧૫	28
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	28
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૪૫૦	૧૮૦૦	30
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	23	૪૨૦	૧૯૭૪	32

વોલ્ટેજ	અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૩૩	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૧૩૦૦	૪૨૯	9
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	24	૧૩૦૦	૬૧૧	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	8	23	૧૩૦૦	૮૮૪	12
1	૪૨.૫	33	45	7	22	૧૨૦૦	૧૨૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	22	૧૨૦૦	૧૮૦૦	18
૧.૫	૫૭.૫	30	45	5	31	૧૨૦૦	૧૮૦૦	20
2	૫૭.૫	30	45	5	30	૧૧૦૦	૨૨૦૦	22
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૧૧૦૦	૨૭૫૦	25
3	૫૭.૫	38	54	4	27	૭૦૦	૨૧૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	૩.૮	26	૬૦૦	૧૯૮૦	28
૩.૫	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	30
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	25	૪૫૦	૧૮૦૦	32

વોલ્ટેજ	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૨૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	15	25	૧૫૦૦	૩૩૦	10
૦.૩૩	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	12	24	૧૫૦૦	૪૯૫	12
૦.૪૭	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	11	23	૧૪૦૦	૬૫૮	15
૦.૬૮	૪૨.૫	33	45	8	22	૧૨૦૦	૮૧૬	18
૦.૬૮	૫૭.૫	30	45	7	30	૧૧૦૦	૭૪૮	20
૦.૮૨	૪૨.૫	33	45	7	28	૧૨૦૦	૯૮૪	22
1	૫૭.૫	30	45	6	28	૧૧૦૦	૧૧૦૦	25
૧.૫	૫૭.૫	35	50	5	25	૧૦૦૦	૧૫૦૦	28
2	૫૭.૫	38	54	5	24	૮૦૦	૧૬૦૦	28
૨.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	4	23	૭૦૦	૧૫૪૦	32

વોલ્ટેજ	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૧૫	૪૨.૫	33	45	18	28	૨૫૦૦	૩૭૫	25
૦.૨૨	૪૨.૫	33	45	15	27	૨૨૦૦	૪૮૪	28
૦.૨૨	૫૭.૫	35	50	15	25	૨૦૦૦	૩૩૦	20
૦.૩૩	૫૭.૫	35	50	12	24	૧૮૦૦	૪૯૫	20
૦.૪૭	૫૭.૫	38	54	11	23	૧૬૦૦	૭૫૨	22
૦.૬૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	8	22	૧૫૦૦	૧૦૨૦	28

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

તમારી જરૂરિયાતો પૂરી કરવી અને કાર્યક્ષમ રીતે તમારી સેવા કરવી એ અમારી જવાબદારી છે. તમારો સંતોષ એ જ અમારો શ્રેષ્ઠ પુરસ્કાર છે. અમે હોટ ન્યૂ પ્રોડક્ટ્સ કોમ્પેક્ટ ડિઝાઇન ફિલ્મ કેપેસિટર - IGBT એપ્લિકેશન માટે પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ સ્નબર કેપેસિટરનું લો લોસ ડાઇલેક્ટ્રિક - CRE માટે સંયુક્ત વૃદ્ધિ માટે તમારી મુલાકાતની રાહ જોઈ રહ્યા છીએ. આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: લાસ વેગાસ, બાંડુંગ, બાર્બાડોસ, પારસ્પરિક ફાયદાઓ પ્રાપ્ત કરવા માટે, અમારી કંપની વિદેશી ગ્રાહકો સાથે વાતચીત, ઝડપી ડિલિવરી, શ્રેષ્ઠ ગુણવત્તા અને લાંબા ગાળાના સહકારના સંદર્ભમાં વૈશ્વિકરણની અમારી યુક્તિઓને વ્યાપકપણે વેગ આપી રહી છે. અમારી કંપની "નવીનતા, સંવાદિતા, ટીમ વર્ક અને શેરિંગ, ટ્રેલ્સ, વ્યવહારિક પ્રગતિ" ની ભાવનાને સમર્થન આપે છે. અમને એક તક આપો અને અમે અમારી ક્ષમતા સાબિત કરીશું. તમારી દયાળુ સહાયથી, અમે માનીએ છીએ કે અમે તમારી સાથે મળીને એક ઉજ્જવળ ભવિષ્ય બનાવી શકીએ છીએ.

ઓટોમોટિવ એપ્લિકેશન્સમાં કેપેસિટર્સ

કોમ્પેક્ટ ડિઝાઇન ફિલ્મ કેપેસિટર

કસ્ટમ-મેડ રેઝોનન્સ કેપેસિટર

ડીસી-ફિલ્ટરિંગ કેપેસિટર

ફિલ્મ કેપેસિટર ઉત્પાદક

હાર્મોનિક રેઝોનન્સ કેપેસિટર

લો કેપેસીટન્સ લોસ ફિમ કેપેસીટર

પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ કેપેસિટર

સ્વ-હીલિંગ ડ્રાય કેપેસિટર

સ્નબર કેપેસિટર

ભલે અમે એક નાની કંપની છીએ, પણ અમારું સન્માન પણ કરવામાં આવે છે. વિશ્વસનીય ગુણવત્તા, નિષ્ઠાવાન સેવા અને સારી ક્રેડિટ, અમે તમારી સાથે કામ કરવા માટે સક્ષમ હોવાનો ગર્વ અનુભવીએ છીએ!