ઔદ્યોગિક કન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર માટે વિશાળ પસંદગી - ઉચ્ચ પાવર એપ્લિકેશનો માટે ઉચ્ચ-વર્ગના IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

હવે અમારી પાસે શ્રેષ્ઠ ઉપકરણો છે. અમારા સોલ્યુશન્સ તમારા યુએસએ, યુકે વગેરેમાં નિકાસ કરવામાં આવે છે, ગ્રાહકો વચ્ચે એક શાનદાર નામનો આનંદ માણીએ છીએકન્વર્ટર કેપેસિટર , કસ્ટમાઇઝ્ડ કેપેસિટર સોલ્યુશન , કસ્ટમ-ડિઝાઇન કરેલ એસી કેપેસિટર, એક અનુભવી જૂથ તરીકે અમે કસ્ટમ-મેઇડ ઓર્ડર પણ સ્વીકારીએ છીએ. અમારી પેઢીનો મુખ્ય હેતુ બધા ગ્રાહકો માટે સંતોષકારક મેમરી બનાવવાનો અને લાંબા ગાળાના જીત-જીત નાના વ્યવસાય જોડાણ સ્થાપિત કરવાનો છે.

ઔદ્યોગિક કન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર માટે વિશાળ પસંદગી - ઉચ્ચ પાવર એપ્લિકેશનો માટે ઉચ્ચ-વર્ગના IGBT સ્નબર કેપેસિટર ડિઝાઇન - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ માહિતી

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: +105℃ ઉચ્ચ શ્રેણીનું તાપમાન: +85℃ નીચલા શ્રેણીનું તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૦.૧μF~૫.૬μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી~૩૦૦૦ વોલ્ટ.ડીસી
કેપ.ટોલ	±5%(J);±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	૧.૫ યુનિટ ડીસી/૧૦ એસ
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર)
સ્ટ્રાઇક કરંટનો સામનો કરો	ડેટાશીટ જુઓ
જ્યોત મંદતા	UL94V-0 નો પરિચય
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC61071;GB/T17702;

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વોલ્ટેજ	અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A)
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૫૦૦	૨૩૫	8
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	25	૪૮૦	૩૨૬.૪	10
1	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	24	૪૫૦	૪૫૦	12
૧.૫	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	25	૪૩૦	૬૪૫	5
2	૪૨.૫	33	૩૫.૫	6	24	૪૨૦	૮૪૦	15
૨.૫	૪૨.૫	33	45	6	23	૪૦૦	૧૦૦૦	18
3	૪૨.૫	33	45	૫.૫	22	૩૮૦	૧૧૪૦	20
3	૫૭.૫	30	45	5	26	૩૫૦	૧૦૫૦	22
૩.૫	૪૨.૫	33	45	5	23	૩૫૦	૧૨૨૫	25
૩.૫	૫૭.૫	30	45	6	25	૩૦૦	૧૦૫૦	22
૪.૭	૫૭.૫	35	50	5	28	૨૮૦	૧૩૧૬	25
૫.૬	૫૭.૫	38	54	4	30	૨૫૦	૧૪૦૦	25
6	૫૭.૫	38	54	૩.૫	33	૨૩૦	૧૩૮૦	28
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	32	૨૨૦	૧૪૯૬	32
8	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	30	૨૦૦	૧૬૦૦	33
વોલ્ટેજ	૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	25	૧૦૦૦	૪૭૦	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	25	૮૦૦	૫૪૪	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	24	૮૦૦	૮૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	24	૭૦૦	૧૦૫૦	15
2	૪૨.૫	33	45	5	22	૭૦૦	૧૪૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	30	45	5	30	૬૦૦	૧૫૦૦	22
3	૫૭.૫	35	50	4	30	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	35	50	૩.૫	28	૫૫૦	૧૮૧૫	25
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	28	૫૦૦	૧૭૫૦	25
4	૫૭.૫	38	54	૩.૨	26	૫૦૦	૨૦૦૦	28
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	3	25	૪૨૦	૧૯૭૪	30
૫.૬	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	24	૪૦૦	૨૨૪૦	32
વોલ્ટેજ	અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	24	૧૨૦૦	૫૬૪	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	23	૧૧૦૦	૭૪૮	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	22	૮૦૦	૮૦૦	14
૧.૫	૪૨.૫	33	45	5	20	૮૦૦	૧૨૦૦	15
2	૫૭.૫	30	45	4	30	૭૫૦	૧૫૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૭૦૦	૧૭૫૦	25
3	૫૭.૫	35	50	4	27	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	4	27	૫૫૦	૧૮૧૫	28
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	28
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૪૫૦	૧૮૦૦	30
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	23	૪૨૦	૧૯૭૪	32
વોલ્ટેજ	અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૩૩	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૧૩૦૦	૪૨૯	9
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	24	૧૩૦૦	૬૧૧	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	8	23	૧૩૦૦	૮૮૪	12
1	૪૨.૫	33	45	7	22	૧૨૦૦	૧૨૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	22	૧૨૦૦	૧૮૦૦	18
૧.૫	૫૭.૫	30	45	5	31	૧૨૦૦	૧૮૦૦	20
2	૫૭.૫	30	45	5	30	૧૧૦૦	૨૨૦૦	22
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૧૧૦૦	૨૭૫૦	25
3	૫૭.૫	38	54	4	27	૭૦૦	૨૧૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	૩.૮	26	૬૦૦	૧૯૮૦	28
૩.૫	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	30
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	25	૪૫૦	૧૮૦૦	32
વોલ્ટેજ	અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૨૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	15	25	૧૫૦૦	૩૩૦	10
૦.૩૩	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	12	24	૧૫૦૦	૪૯૫	12
૦.૪૭	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	11	23	૧૪૦૦	૬૫૮	15
૦.૬૮	૪૨.૫	33	45	8	22	૧૨૦૦	૮૧૬	18
૦.૬૮	૫૭.૫	30	45	7	30	૧૧૦૦	૭૪૮	20
૦.૮૨	૪૨.૫	33	45	7	28	૧૨૦૦	૯૮૪	22
1	૫૭.૫	30	45	6	28	૧૧૦૦	૧૧૦૦	25
૧.૫	૫૭.૫	35	50	5	25	૧૦૦૦	૧૫૦૦	28
2	૫૭.૫	38	54	5	24	૮૦૦	૧૬૦૦	28
૨.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	4	23	૭૦૦	૧૫૪૦	32
વોલ્ટેજ	અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૧૫	૪૨.૫	33	45	18	28	૨૫૦૦	૩૭૫	25
૦.૨૨	૪૨.૫	33	45	15	27	૨૨૦૦	૪૮૪	28
૦.૨૨	૫૭.૫	35	50	15	25	૨૦૦૦	૩૩૦	20
૦.૩૩	૫૭.૫	35	50	12	24	૧૮૦૦	૪૯૫	20
૦.૪૭	૫૭.૫	38	54	11	23	૧૬૦૦	૭૫૨	22
૦.૬૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	8	22	૧૫૦૦	૧૦૨૦	28

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમારું ધ્યેય ઔદ્યોગિક કન્વર્ટર માટે Dc-Link Capacitor - ઉચ્ચ પાવર એપ્લિકેશનો માટે ઉચ્ચ-વર્ગના IGBT Snubber કેપેસિટર ડિઝાઇન માટે મૂલ્યવર્ધિત ડિઝાઇન, વિશ્વ-સ્તરીય ઉત્પાદન અને સેવા ક્ષમતાઓ પ્રદાન કરીને ઉચ્ચ-તકનીકી ડિજિટલ અને સંદેશાવ્યવહાર ઉપકરણોના નવીન સપ્લાયર બનવાનું છે - CRE, આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: નોર્વે, કતાર, કોલંબિયા, અમારા બધા સ્ટાફ માને છે કે: ગુણવત્તા આજે બનાવે છે અને સેવા ભવિષ્ય બનાવે છે. અમે જાણીએ છીએ કે સારી ગુણવત્તા અને શ્રેષ્ઠ સેવા એ અમારા ગ્રાહકોને પ્રાપ્ત કરવાનો અને પોતાને પણ પ્રાપ્ત કરવાનો એકમાત્ર રસ્તો છે. ભવિષ્યના વ્યવસાયિક સંબંધો માટે અમારો સંપર્ક કરવા માટે અમે સમગ્ર વિશ્વમાં ગ્રાહકોનું સ્વાગત કરીએ છીએ. અમારા ઉત્પાદનો શ્રેષ્ઠ છે. એકવાર પસંદ થયા પછી, કાયમ માટે પરફેક્ટ!

પાવર કન્વર્ટરમાં ડીસી-લિંક કેપેસિટર્સ

ફિલ્મ કેપેસિટર ઉત્પાદક

સારી ગુણવત્તાવાળા રેઝોનન્સ કેપેસિટર

ઉચ્ચ વર્તમાન પ્રતિકાર ફિલ્મ કેપેસિટર

વેચાણ માટે ઔદ્યોગિક કેપેસિટર્સ

ઇન્વર્ટર આઉટપુટ એસી ફિલ્ટર કેપેસિટર

લો ઇએસએલ ફિલ્મ કેપેસિટર

પલ્સ પાવર ફિલ્મ કેપેસિટર

સ્વ-હીલિંગ કેપેસિટર

ઇન્ફિનિયોન આઇજીબીટી માટે સ્નબર કેપેસિટર

ઉદ્યોગમાં આ સાહસ મજબૂત અને સ્પર્ધાત્મક છે, સમય સાથે આગળ વધી રહ્યું છે અને ટકાઉ વિકાસ કરી રહ્યું છે, અમને સહકાર આપવાની તક મળતાં ખૂબ આનંદ થાય છે!

મોરેશિયસથી ડી લોપેઝ દ્વારા - 2017.04.18 16:45

આ સપ્લાયરની કાચા માલની ગુણવત્તા સ્થિર અને વિશ્વસનીય છે, અને તે હંમેશા અમારી કંપનીની જરૂરિયાતો અનુસાર રહી છે જેથી ગુણવત્તા અમારી જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરે.

સ્વાઝીલેન્ડથી ફેડેરિકો માઈકલ ડી માર્કો દ્વારા - 2018.09.21 11:01