વાજબી કિંમત ઉચ્ચ રિપલ કરંટ ફિલ્મ કેપેસિટર - પીવી ઇન્વર્ટર માટે રચાયેલ પીસીબી માઉન્ટેડ ડીસી લિંક ફિલ્મ કેપેસિટર - CRE

વાજબી કિંમત ઉચ્ચ રિપલ કરંટ ફિલ્મ કેપેસિટર - પીવી ઇન્વર્ટર માટે રચાયેલ પીસીબી માઉન્ટેડ ડીસી લિંક ફિલ્મ કેપેસિટર - સીઆરઇ ફીચર્ડ ઇમેજ

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

અમે મેનેજમેન્ટ માટે "ગુણવત્તા પહેલા, સેવા પહેલા, ગ્રાહકોને મળવા માટે સતત સુધારો અને નવીનતા" ના સિદ્ધાંતને વળગી રહીએ છીએ અને ગુણવત્તાના ઉદ્દેશ્ય તરીકે "શૂન્ય ખામી, શૂન્ય ફરિયાદો" ને વળગી રહીએ છીએ. અમારી સેવાને સંપૂર્ણ બનાવવા માટે, અમે વાજબી ભાવે સારી ગુણવત્તાવાળા ઉત્પાદનો પ્રદાન કરીએ છીએ.હાઇ ક્વાર ઇન્ડક્શન કેપેસિટર , ગ્લોબલ ફિલ્મ કેપેસિટર સપ્લાયર , ઔદ્યોગિક ફિલ્મ કેપેસિટર, અમે અમારા ગ્રાહકોને લાંબા ગાળાના જીત-જીત સંબંધ સ્થાપિત કરવા માટે સેવા પૂરી પાડવા માટે ઉત્તમ ગુણવત્તાવાળા ઉત્પાદનો બનાવવા પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરીએ છીએ.

વાજબી કિંમત ઉચ્ચ રિપલ કરંટ ફિલ્મ કેપેસિટર - પીવી ઇન્વર્ટર માટે રચાયેલ પીસીબી માઉન્ટેડ ડીસી લિંક ફિલ્મ કેપેસિટર - સીઆરઇ વિગતો:

DMJ-PS શ્રેણી

AC/DC પાવર કન્વર્ટર અને ઇન્વર્ટર માટે વપરાતા DC લિંક ફિલ્ટરિંગ કેપેસિટર્સ.

સ્વ-હીલિંગ, ડ્રાય-ટાઇપ, કેપેસિટર તત્વો ખાસ પ્રોફાઇલવાળી, મેટલાઇઝ્ડ પીપી ફિલ્મનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે જે ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ, ઉચ્ચ ભંગાણ પ્રતિકાર અને ઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા સુનિશ્ચિત કરે છે. વધુ પડતા દબાણથી ડિસ્કનેક્શન જરૂરી માનવામાં આવતું નથી. કેપેસિટર ટોચ સ્વ-બુઝાવવાની ઇકો-ફ્રેન્ડલી ઇપોક્સીથી સીલ કરવામાં આવે છે. ખાસ ડિઝાઇન ખૂબ જ ઓછી સ્વ-ઇન્ડક્ટન્સ સુનિશ્ચિત કરે છે.

IMG_0631.HEIC દ્વારા વધુ

સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક

વોલ્ટેજ					૫૫૦વો.ડીસી(૮૫℃) ૬૦૦વો（૭૦℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
4	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		૨૦.૫	10	75	૩૦૦	4
7	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		૧૧.૫	10	75	૫૨૫	૬.૫
10	2	1	32	18	28	૨૭.૫		8	10	75	૭૫૦	9
12	2	1	32	21	31	૨૭.૫		7	10	75	૯૦૦	10
20	2	૧.૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	૩૭.૫		7	10	40	૮૦૦	11
30	4	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫	૨૦.૩	૬.૫	10	40	૧૨૦૦	15
45	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	6	10	40	૧૮૦૦	17
60	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	40	૨૪૦૦	૧૮.૫
60	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	40	૨૪૦૦	૧૮.૫
75	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	3	15	20	૧૫૦૦	19
75	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૧૫૦૦	18
૧૦૦	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	૨.૮	15	20	૨૦૦૦	20
૧૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૨૦૦૦	22
૧૧૦	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૨૨૦૦	23
૧૨૦	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૮	15	20	૨૪૦૦	25
૧૫૦	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૫	15	20	૩૦૦૦	28
૧૫૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૫	15	20	૩૦૦૦	28
૨૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	૨.૩	15	20	૪૦૦૦	28
વોલ્ટેજ					૭૦૦વો.ડીસી (૮૫℃) ૮૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
3	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		23	10	75	૨૨૫	4
5	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		14	10	75	૩૭૫	6
8	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૮.૫	10	75	૬૦૦	૮.૫
10	2	1	32	21	31	૨૭.૫		7	10	75	૭૫૦	10
10	2	૧.૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	૩૭.૫		10	10	40	૪૦૦	10
20	4	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫	૨૦.૩	૭.૫	10	40	૮૦૦	12
25	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	6	10	40	૧૦૦૦	12
40	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૫.૫	10	40	૧૬૦૦	13
40	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	6	15	20	૮૦૦	15
45	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	40	૧૮૦૦	15
50	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	૫.૫	15	20	૧૦૦૦	18
55	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	40	૨૨૦૦	18
60	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	5	15	20	૧૨૦૦	20
75	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	20	૧૫૦૦	22
80	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	4	15	20	૧૬૦૦	22
90	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	20	૧૮૦૦	25
૧૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૨૦૦૦	૨૭.૫
૧૦૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૨૦૦૦	૨૭.૫
૧૧૦	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૨૨૦૦	28
વોલ્ટેજ					૮૦૦વો.ડીસી (૮૫℃) ૯૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
2	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		31	10	75	૧૫૦	૩.૫
4	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		૧૫.૫	10	75	૩૦૦	૫.૫
6	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૧૦.૫	10	75	૪૫૦	૭.૫
8	2	1	32	21	31	૨૭.૫		8	10	75	૬૦૦	૯.૫
15	2	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫		10	10	40	૬૦૦	10
20	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	૭.૫	10	40	૮૦૦	12
30	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	40	૧૨૦૦	16
35	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	૫.૫	15	20	૭૦૦	14
45	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૨	10	40	૧૮૦૦	17
50	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	20	૧૦૦૦	18
55	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	4	10	40	૨૨૦૦	18
60	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	20	૧૨૦૦	20
70	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	20	૧૪૦૦	22
75	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	20	૧૫૦૦	24
85	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	20	૧૭૦૦	26
વોલ્ટેજ					1100V.DC(85℃) 1200V (70℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
1	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		૪૫.૫	10	95	95	3
2	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		23	10	95	૧૯૦	૪.૫
3	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૧૫.૫	10	95	૨૮૫	6
4	2	1	32	21	31	૨૭.૫		૧૧.૫	10	95	૩૮૦	8
10	2	૧.૨	૪૨.૫	24	44	૩૭.૫		11	10	40	૪૨૯	11
15	4	૧.૨	૪૨.૫	29	37	૩૭.૫	૨૦.૩	8	10	40	૬૦૦	15
20	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	40	૮૦૦	18
20	4	૧.૨	૪૨.૫	33	45	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	40	૮૦૦	18
20	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	7	15	25	૫૦૦	15
25	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	6	15	25	૬૨૫	17
30	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	5	15	25	૭૫૦	18
35	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	40	૧૪૦૦	19
40	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	5	15	25	૧૦૦૦	18
45	4	૧.૨	૫૭.૫	38	54	૫૨.૫	૨૦.૩	૪.૫	15	25	૧૧૨૫	૧૮.૫
50	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	25	૧૨૫૦	20
55	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૫	15	25	૧૩૭૫	21
60	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૩.૨	15	25	૧૫૦૦	22
70	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	3	15	25	૧૭૫૦	24
વોલ્ટેજ					૧૨૦૦વો.ડીસી(૮૫℃) ૧૫૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
1	2	૦.૮	32	11	21	૨૭.૫		43	10	૧૦૦	૧૦૦	3
2	2	૦.૮	32	15	25	૨૭.૫		૨૧.૫	10	૧૦૦	૨૦૦	5
3	2	1	32	18	28	૨૭.૫		૧૪.૫	10	૧૦૦	૩૦૦	૬.૫
4	2	1	32	21	31	૨૭.૫		11	10	૧૦૦	૪૦૦	8
12	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	5	10	50	૬૦૦	15
12	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	11	15	40	૪૮૦	13
18	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	૪.૫	10	50	૯૦૦	18
20	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	7	15	50	૧૦૦૦	16
20	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	8	15	40	૮૦૦	17
25	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	7	15	40	૧૦૦૦	20
40	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	6	15	25	૧૦૦૦	22
45	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	૫.૫	15	25	૧૧૨૫	24
વોલ્ટેજ					૧૮૦૦વો.ડીસી(૮૫℃) ૨૦૦૦વો (૭૦℃)
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	પિચ(મીમી)		ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
Cn (uF)	વાયરની સંખ્યા	φD (મીમી)	એલ(મીમી)±1	ટી(મીમી)±1	એચ(મીમી)±1	P1	P2	ESR (mΩ)	ઇએસએલ (એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઈપીકે (એ)	ઇર્મ્સ(એ) （@૧૦ કિલોહર્ટ્ઝ ૮૫℃）
6	4	૧.૨	૪૨.૫	30	45	૩૭.૫	૨૦.૩	24	10	૧૦૦	૬૦૦	5
8	4	૧.૨	૪૨.૫	35	50	૩૭.૫	૨૦.૩	20	10	૧૦૦	૮૦૦	8
10	4	૧.૨	૪૨.૫	40	55	૩૭.૫	૨૦.૩	18	10	૧૦૦	૧૦૦૦	10
8	4	૧.૨	૫૭.૫	30	45	૫૨.૫	૨૦.૩	12	15	50	૪૦૦	13
10	4	૧.૨	૫૭.૫	35	50	૫૨.૫	૨૦.૩	10	15	50	૫૦૦	17
15	4	૧.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૫૨.૫	૨૦.૩	8	15	50	૭૫૦	20
18	4	૧.૨	૫૭.૫	45	55	૫૨.૫	૨૦.૩	૭.૫	15	50	૯૦૦	21
20	4	૧.૨	૫૭.૫	45	65	૫૨.૫	૨૦.૩	7	15	45	૯૦૦	22

અરજી

1. ઊર્જા સંગ્રહ ફિલ્ટર કરવા માટે DC-લિંક સર્કિટમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે;

2. ઇલેક્ટ્રોલિટીક કેપેસિટરને બદલી શકે છે, વધુ સારી કામગીરી અને લાંબુ આયુષ્ય.

૩. પીવી ઇન્વર્ટર, વિન્ડ પાવર કન્વર્ટર, અને તમામ પ્રકારના ફ્રીક્વન્સી કન્વર્ટર અને ઇન્વર્ટર પાવર સપ્લાય; શુદ્ધ ઇલેક્ટ્રિક અને હાઇબ્રિડ કાર; ચાર્જિંગ પાઇલ, યુપીએસ, વગેરે.

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમે 'ઉચ્ચ ઉત્તમ, પ્રદર્શન, પ્રામાણિકતા અને ડાઉન-ટુ-અર્થ વર્કિંગ અભિગમ' ના વિકાસના સિદ્ધાંત પર આગ્રહ રાખીએ છીએ જેથી તમને વાજબી કિંમતે પ્રોસેસિંગની ઉત્તમ કંપની પ્રદાન કરી શકાય - ઉચ્ચ રિપલ કરંટ ફિલ્મ કેપેસિટર - પીવી ઇન્વર્ટર માટે રચાયેલ પીસીબી માઉન્ટેડ ડીસી લિંક ફિલ્મ કેપેસિટર - સીઆરઈ, આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: અફઘાનિસ્તાન, આર્જેન્ટિના, બાર્બાડોસ, દરેક ગ્રાહકને સંતોષ અને સારી ક્રેડિટ અમારી પ્રાથમિકતા છે. અમે ગ્રાહકો માટે ઓર્ડર પ્રોસેસિંગની દરેક વિગતો પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરીએ છીએ જ્યાં સુધી તેઓ સારી લોજિસ્ટિક્સ સેવા અને આર્થિક ખર્ચ સાથે સલામત અને સાઉન્ડ ઉત્પાદનો પ્રાપ્ત ન કરે. આના આધારે, અમારા ઉત્પાદનો આફ્રિકા, મધ્ય-પૂર્વ અને દક્ષિણપૂર્વ એશિયાના દેશોમાં ખૂબ સારી રીતે વેચાય છે.

Eps એપ્લિકેશન માટે એસી ફિલ્ટર

એસી ફિલ્ટર પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક કેપેસિટર

પાવર ફેક્ટર કરેક્શન માટે કેપેસિટર

કસ્ટમાઇઝ્ડ એસી ફિલ્ટર કેપેસિટર

ડીસી લિંક પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક કેપેસિટર

એનર્જી સ્ટોરેજ ફિલ્મ કેપેસિટર્સ

તબીબી સાધનો માટે ફિલ્મ કેપેસિટર

ઔદ્યોગિક સ્નબર કેપેસિટર

પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક એસી કેપેસિટર

સર્જ શોષક કેપેસિટર

અમે હંમેશા માનીએ છીએ કે વિગતો કંપનીના ઉત્પાદનની ગુણવત્તા નક્કી કરે છે, આ સંદર્ભમાં, કંપની અમારી જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરે છે અને માલ અમારી અપેક્ષાઓ પૂર્ણ કરે છે.