જથ્થાબંધ હાઇ વોલ્ટેજ સ્નબર કેપેસિટર
ટેકનિકલ માહિતી
| ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી | મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: +90℃ ઉપલા શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચલું શ્રેણી તાપમાન: -40℃ |
| કેપેસીટન્સ શ્રેણી | ૧μF~૮μF |
| રેટેડ વોલ્ટેજ | ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી~૪૦૦૦ વોલ્ટ.ડીસી |
| કેપ.ટોલ | ±5%(J); ±10%(K) |
| વોલ્ટેજનો સામનો કરો | ૧.૫ યુનિટ /૧૦ સે. |
| ડિસીપેશન ફેક્ટર | tgδ≤0.001 f=1KHz |
| ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર | RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર) |
| આયુષ્ય | 100000h(Un; Θhotspot≤85°C) |
| સંદર્ભ ધોરણ | આઇઇસી 61071; આઇઇસી 60110 |
લક્ષણ
વિકલ્પો માટે સિંગલ મેટલાઇઝ્ડ સ્નબર કેપેસિટર્સ અને ડબલ મેટલાઇઝ્ડ સ્નબર કેપેસિટર્સ છે.
અરજી
1. પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક્સ એપ્લિકેશન્સમાં, સ્નબર કેપેસિટર્સ વોલ્ટેજ અને કરંટ રિંગિંગને ક્લેમ્પ કરીને ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક હસ્તક્ષેપ ઘટાડવા માટે જવાબદાર છે.
2. IGBT મોડ્યુલ્સ પર માઉન્ટ થયેલ, સ્ટ્રે ઇન્ડક્ટન્સ રિડક્શન માટે, સ્નબર કેપેસિટર્સ વૈવિધ્યતાના હેતુઓ માટે રૂપરેખાંકિત ટર્મિનલ્સમાં પૂરા પાડવામાં આવે છે.
સ્પષ્ટીકરણ કોષ્ટક
| વોલ્ટેજ | અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V | |||||||
| પરિમાણ (મીમી) | ||||||||
| Cn(μF) | એલ(±1) | ટી(±1) | એચ(±1) | ESR @100KHz (mΩ) | ઇએસએલ(એનએચ) | ડીવી/ડીટી (વી/μS) | આઇપીકે(એ) | ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A) |
| ૦.૪૭ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 12 | 25 | ૫૦૦ | ૨૩૫ | 8 |
| ૦.૬૮ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 10 | 25 | ૪૮૦ | ૩૨૬.૪ | 10 |
| 1 | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 8 | 24 | ૪૫૦ | ૪૫૦ | 12 |
| ૧.૫ | ૪૨.૫ | ૩૩.૫ | ૩૫.૫ | 7 | 25 | ૪૩૦ | ૬૪૫ | 5 |
| 2 | ૪૨.૫ | 33 | ૩૫.૫ | 6 | 24 | ૪૨૦ | ૮૪૦ | 15 |
| ૨.૫ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 6 | 23 | ૪૦૦ | ૧૦૦૦ | 18 |
| 3 | ૪૨.૫ | 33 | 45 | ૫.૫ | 22 | ૩૮૦ | ૧૧૪૦ | 20 |
| 3 | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 5 | 26 | ૩૫૦ | ૧૦૫૦ | 22 |
| ૩.૫ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 5 | 23 | ૩૫૦ | ૧૨૨૫ | 25 |
| ૩.૫ | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 6 | 25 | ૩૦૦ | ૧૦૫૦ | 22 |
| ૪.૭ | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 5 | 28 | ૨૮૦ | ૧૩૧૬ | 25 |
| ૫.૬ | ૫૭.૫ | 38 | 54 | 4 | 30 | ૨૫૦ | ૧૪૦૦ | 25 |
| 6 | ૫૭.૫ | 38 | 54 | ૩.૫ | 33 | ૨૩૦ | ૧૩૮૦ | 28 |
| ૬.૮ | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | ૩.૨ | 32 | ૨૨૦ | ૧૪૯૬ | 32 |
| 8 | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | ૨.૮ | 30 | ૨૦૦ | ૧૬૦૦ | 33 |
| વોલ્ટેજ | ૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું | |||||||
| પરિમાણ (મીમી) | ||||||||
| Cn(μF) | એલ(±1) | ટી(±1) | એચ(±1) | ESR(mΩ) | ઇએસએલ(એનએચ) | ડીવી/ડીટી(વી/μS) | આઇપીકે(એ) | ઇર્મ્સ |
| ૦.૪૭ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 11 | 25 | ૧૦૦૦ | ૪૭૦ | 10 |
| ૦.૬૮ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 8 | 25 | ૮૦૦ | ૫૪૪ | 12 |
| 1 | ૪૨.૫ | ૩૩.૫ | ૩૫.૫ | 6 | 24 | ૮૦૦ | ૮૦૦ | 15 |
| ૧.૫ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 6 | 24 | ૭૦૦ | ૧૦૫૦ | 15 |
| 2 | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 5 | 22 | ૭૦૦ | ૧૪૦૦ | 20 |
| ૨.૫ | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 5 | 30 | ૬૦૦ | ૧૫૦૦ | 22 |
| 3 | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 4 | 30 | ૬૦૦ | ૧૮૦૦ | 25 |
| ૩.૩ | ૫૭.૫ | 35 | 50 | ૩.૫ | 28 | ૫૫૦ | ૧૮૧૫ | 25 |
| ૩.૫ | ૫૭.૫ | 38 | 54 | ૩.૫ | 28 | ૫૦૦ | ૧૭૫૦ | 25 |
| 4 | ૫૭.૫ | 38 | 54 | ૩.૨ | 26 | ૫૦૦ | ૨૦૦૦ | 28 |
| ૪.૭ | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | 3 | 25 | ૪૨૦ | ૧૯૭૪ | 30 |
| ૫.૬ | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | ૨.૮ | 24 | ૪૦૦ | ૨૨૪૦ | 32 |
| વોલ્ટેજ | અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ | |||||||
| Cn(μF) | એલ(±1) | ટી(±1) | એચ(±1) | ESR(mΩ) | ઇએસએલ(એનએચ) | ડીવી/ડીટી(વી/μS) | આઇપીકે(એ) | ઇર્મ્સ |
| ૦.૪૭ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 11 | 24 | ૧૨૦૦ | ૫૬૪ | 10 |
| ૦.૬૮ | ૪૨.૫ | ૩૩.૫ | ૩૫.૫ | 7 | 23 | ૧૧૦૦ | ૭૪૮ | 12 |
| 1 | ૪૨.૫ | ૩૩.૫ | ૩૫.૫ | 6 | 22 | ૮૦૦ | ૮૦૦ | 14 |
| ૧.૫ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 5 | 20 | ૮૦૦ | ૧૨૦૦ | 15 |
| 2 | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 4 | 30 | ૭૫૦ | ૧૫૦૦ | 20 |
| ૨.૫ | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 4 | 28 | ૭૦૦ | ૧૭૫૦ | 25 |
| 3 | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 4 | 27 | ૬૦૦ | ૧૮૦૦ | 25 |
| ૩.૩ | ૫૭.૫ | 38 | 54 | 4 | 27 | ૫૫૦ | ૧૮૧૫ | 28 |
| ૩.૫ | ૫૭.૫ | 38 | 54 | ૩.૫ | 25 | ૫૦૦ | ૧૭૫૦ | 28 |
| 4 | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | ૩.૫ | 25 | ૪૫૦ | ૧૮૦૦ | 30 |
| ૪.૭ | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | ૩.૨ | 23 | ૪૨૦ | ૧૯૭૪ | 32 |
| વોલ્ટેજ | અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ | |||||||
| Cn(μF) | એલ(±1) | ટી(±1) | એચ(±1) | ESR(mΩ) | ઇએસએલ(એનએચ) | ડીવી/ડીટી(વી/μS) | આઇપીકે(એ) | ઇર્મ્સ |
| ૦.૩૩ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 12 | 25 | ૧૩૦૦ | ૪૨૯ | 9 |
| ૦.૪૭ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 10 | 24 | ૧૩૦૦ | ૬૧૧ | 10 |
| ૦.૬૮ | ૪૨.૫ | ૩૩.૫ | ૩૫.૫ | 8 | 23 | ૧૩૦૦ | ૮૮૪ | 12 |
| 1 | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 7 | 22 | ૧૨૦૦ | ૧૨૦૦ | 15 |
| ૧.૫ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 6 | 22 | ૧૨૦૦ | ૧૮૦૦ | 18 |
| ૧.૫ | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 5 | 31 | ૧૨૦૦ | ૧૮૦૦ | 20 |
| 2 | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 5 | 30 | ૧૧૦૦ | ૨૨૦૦ | 22 |
| ૨.૫ | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 4 | 28 | ૧૧૦૦ | ૨૭૫૦ | 25 |
| 3 | ૫૭.૫ | 38 | 54 | 4 | 27 | ૭૦૦ | ૨૧૦૦ | 25 |
| ૩.૩ | ૫૭.૫ | 38 | 54 | ૩.૮ | 26 | ૬૦૦ | ૧૯૮૦ | 28 |
| ૩.૫ | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | ૩.૫ | 25 | ૫૦૦ | ૧૭૫૦ | 30 |
| 4 | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | ૩.૨ | 25 | ૪૫૦ | ૧૮૦૦ | 32 |
| વોલ્ટેજ | અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V | |||||||
| Cn(μF) | એલ(±1) | ટી(±1) | એચ(±1) | ESR(mΩ) | ઇએસએલ(એનએચ) | ડીવી/ડીટી(વી/μS) | આઇપીકે(એ) | ઇર્મ્સ |
| ૦.૨૨ | ૪૨.૫ | ૨૪.૫ | ૨૭.૫ | 15 | 25 | ૧૫૦૦ | ૩૩૦ | 10 |
| ૦.૩૩ | ૪૨.૫ | ૩૩.૫ | ૩૫.૫ | 12 | 24 | ૧૫૦૦ | ૪૯૫ | 12 |
| ૦.૪૭ | ૪૨.૫ | ૩૩.૫ | ૩૫.૫ | 11 | 23 | ૧૪૦૦ | ૬૫૮ | 15 |
| ૦.૬૮ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 8 | 22 | ૧૨૦૦ | ૮૧૬ | 18 |
| ૦.૬૮ | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 7 | 30 | ૧૧૦૦ | ૭૪૮ | 20 |
| ૦.૮૨ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 7 | 28 | ૧૨૦૦ | ૯૮૪ | 22 |
| 1 | ૫૭.૫ | 30 | 45 | 6 | 28 | ૧૧૦૦ | ૧૧૦૦ | 25 |
| ૧.૫ | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 5 | 25 | ૧૦૦૦ | ૧૫૦૦ | 28 |
| 2 | ૫૭.૫ | 38 | 54 | 5 | 24 | ૮૦૦ | ૧૬૦૦ | 28 |
| ૨.૨ | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | 4 | 23 | ૭૦૦ | ૧૫૪૦ | 32 |
| વોલ્ટેજ | અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V | |||||||
| Cn(μF) | એલ(±1) | ટી(±1) | એચ(±1) | ESR(mΩ) | ઇએસએલ(એનએચ) | ડીવી/ડીટી(વી/μS) | આઇપીકે(એ) | ઇર્મ્સ |
| ૦.૧૫ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 18 | 28 | ૨૫૦૦ | ૩૭૫ | 25 |
| ૦.૨૨ | ૪૨.૫ | 33 | 45 | 15 | 27 | ૨૨૦૦ | ૪૮૪ | 28 |
| ૦.૨૨ | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 15 | 25 | ૨૦૦૦ | ૩૩૦ | 20 |
| ૦.૩૩ | ૫૭.૫ | 35 | 50 | 12 | 24 | ૧૮૦૦ | ૪૯૫ | 20 |
| ૦.૪૭ | ૫૭.૫ | 38 | 54 | 11 | 23 | ૧૬૦૦ | ૭૫૨ | 22 |
| ૦.૬૮ | ૫૭.૫ | ૪૨.૫ | 56 | 8 | 22 | ૧૫૦૦ | ૧૦૨૦ | 28 |
તમારો સંદેશ અમને મોકલો:
તમારો સંદેશ અહીં લખો અને અમને મોકલો.
