મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર – CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

કંપની "વૈજ્ઞાનિક વહીવટ, શ્રેષ્ઠ ગુણવત્તા અને કામગીરીની પ્રાધાન્યતા, ગ્રાહક સર્વોચ્ચ" ના સંચાલન ખ્યાલ તરફ આગળ વધે છે.ઔદ્યોગિક કન્વર્ટર માટે ડીસી-લિંક કેપેસિટર , ઉચ્ચ-પ્રદર્શન એસી ફિલ્ટરિંગ કેપેસિટર્સ , મેટલાઇઝ્ડ સેલ્ફ-હીલિંગ ફિલ્મ કેપેસિટર, અમે વિશ્વભરના ગ્રાહકો, એન્ટરપ્રાઇઝ એસોસિએશનો અને સાથીઓનું અમારી સાથે વાત કરવા અને પરસ્પર લાભો માટે સહયોગ શોધવા માટે હાર્દિક સ્વાગત કરીએ છીએ.

મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર – CRE વિગતો:

ટેકનિકલ માહિતી

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: +105℃ ઉપલા શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચલું શ્રેણી તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૦.૧μF~૫.૬μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી~૩૦૦૦ વોલ્ટ.ડીસી
કેપ.ટોલ	±5%(J); ±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	૧.૫ યુનિટ ડીસી/૧૦ એસ
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર)
સ્ટ્રાઇક કરંટનો સામનો કરો	具体见规格表
જ્યોત મંદતા	UL94V-0 નો પરિચય
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC61071;GB/T17702;

વોલ્ટેજ			અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A)
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૫૦૦	૨૩૫	8
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	25	૪૮૦	૩૨૬.૪	10
1	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	24	૪૫૦	૪૫૦	12
૧.૫	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	25	૪૩૦	૬૪૫	5
2	૪૨.૫	33	૩૫.૫	6	24	૪૨૦	૮૪૦	15
૨.૫	૪૨.૫	33	45	6	23	૪૦૦	૧૦૦૦	18
3	૪૨.૫	33	45	૫.૫	22	૩૮૦	૧૧૪૦	20
3	૫૭.૫	30	45	5	26	૩૫૦	૧૦૫૦	22
૩.૫	૪૨.૫	33	45	5	23	૩૫૦	૧૨૨૫	25
૩.૫	૫૭.૫	30	45	6	25	૩૦૦	૧૦૫૦	22
૪.૭	૫૭.૫	35	50	5	28	૨૮૦	૧૩૧૬	25
૫.૬	૫૭.૫	38	54	4	30	૨૫૦	૧૪૦૦	25
6	૫૭.૫	38	54	૩.૫	33	૨૩૦	૧૩૮૦	28
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	32	૨૨૦	૧૪૯૬	32
8	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	30	૨૦૦	૧૬૦૦	33


વોલ્ટેજ			૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	25	૧૦૦૦	૪૭૦	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	25	૮૦૦	૫૪૪	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	24	૮૦૦	૮૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	24	૭૦૦	૧૦૫૦	15
2	૪૨.૫	33	45	5	22	૭૦૦	૧૪૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	30	45	5	30	૬૦૦	૧૫૦૦	22
3	૫૭.૫	35	50	4	30	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	35	50	૩.૫	28	૫૫૦	૧૮૧૫	25
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	28	૫૦૦	૧૭૫૦	25
4	૫૭.૫	38	54	૩.૨	26	૫૦૦	૨૦૦૦	28
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	3	25	૪૨૦	૧૯૭૪	30
૫.૬	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	24	૪૦૦	૨૨૪૦	32

વોલ્ટેજ			અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	24	૧૨૦૦	૫૬૪	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	23	૧૧૦૦	૭૪૮	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	22	૮૦૦	૮૦૦	14
૧.૫	૪૨.૫	33	45	5	20	૮૦૦	૧૨૦૦	15
2	૫૭.૫	30	45	4	30	૭૫૦	૧૫૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૭૦૦	૧૭૫૦	25
3	૫૭.૫	35	50	4	27	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	4	27	૫૫૦	૧૮૧૫	28
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	28
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૪૫૦	૧૮૦૦	30
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	23	૪૨૦	૧૯૭૪	32

વોલ્ટેજ			અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૩૩	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૧૩૦૦	૪૨૯	9
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	24	૧૩૦૦	૬૧૧	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	8	23	૧૩૦૦	૮૮૪	12
1	૪૨.૫	33	45	7	22	૧૨૦૦	૧૨૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	22	૧૨૦૦	૧૮૦૦	18
૧.૫	૫૭.૫	30	45	5	31	૧૨૦૦	૧૮૦૦	20
2	૫૭.૫	30	45	5	30	૧૧૦૦	૨૨૦૦	22
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૧૧૦૦	૨૭૫૦	25
3	૫૭.૫	38	54	4	27	૭૦૦	૨૧૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	૩.૮	26	૬૦૦	૧૯૮૦	28
૩.૫	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	30
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	25	૪૫૦	૧૮૦૦	32

વોલ્ટેજ			અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૨૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	15	25	૧૫૦૦	૩૩૦	10
૦.૩૩	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	12	24	૧૫૦૦	૪૯૫	12
૦.૪૭	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	11	23	૧૪૦૦	૬૫૮	15
૦.૬૮	૪૨.૫	33	45	8	22	૧૨૦૦	૮૧૬	18
૦.૬૮	૫૭.૫	30	45	7	30	૧૧૦૦	૭૪૮	20
૦.૮૨	૪૨.૫	33	45	7	28	૧૨૦૦	૯૮૪	22
1	૫૭.૫	30	45	6	28	૧૧૦૦	૧૧૦૦	25
૧.૫	૫૭.૫	35	50	5	25	૧૦૦૦	૧૫૦૦	28
2	૫૭.૫	38	54	5	24	૮૦૦	૧૬૦૦	28
૨.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	4	23	૭૦૦	૧૫૪૦	32

વોલ્ટેજ			અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૧૫	૪૨.૫	33	45	18	28	૨૫૦૦	૩૭૫	25
૦.૨૨	૪૨.૫	33	45	15	27	૨૨૦૦	૪૮૪	28
૦.૨૨	૫૭.૫	35	50	15	25	૨૦૦૦	૩૩૦	20
૦.૩૩	૫૭.૫	35	50	12	24	૧૮૦૦	૪૯૫	20
૦.૪૭	૫૭.૫	38	54	11	23	૧૬૦૦	૭૫૨	22
૦.૬૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	8	22	૧૫૦૦	૧૦૨૦	28

લક્ષણ

1. પ્લાસ્ટિક, રેઝિનથી સીલબંધ;

2. ટીન-પ્લેટેડ કોપર ઇન્સર્ટ્સ લીડ્સ, IGBT માટે સરળ ઇન્સ્ટોલેશન;

3. ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, નીચા tgδ, નીચા તાપમાનમાં વધારો સામે પ્રતિકાર;

4. નીચા ESL અને ESR;

5. ઉચ્ચ પલ્સ કરંટ.

ઓછા ઇન્ડક્ટન્સ આંતરિક બાંધકામો, વૈકલ્પિક મોલ્ડેડ રેઝિન કેસ અને કસ્ટમાઇઝ્ડ ટર્મિનેશનનો ઉપયોગ કરીને, SMJ-P સિરીઝ ઝડપી સ્વિચિંગ IGBTS માટે ડિઝાઇન કરવામાં આવી છે અને તે સ્નબર્સ અને ઉચ્ચ વર્તમાન ઉચ્ચ આવર્તન ઇનપુટ ફિલ્ટર્સ તરીકે સેવા આપી શકે છે.

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમે અમારી વસ્તુઓ અને સમારકામમાં સુધારો અને સંપૂર્ણતા જાળવી રાખીએ છીએ. તે જ સમયે, અમે જથ્થાબંધ ભાવે ચાઇના એસી ફિલ્મ કેપેસિટર - મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર - CRE માટે સંશોધન અને પ્રગતિ કરવા માટે સક્રિયપણે કાર્ય કરીએ છીએ, આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: પેરિસ, ઇથોપિયા, કોસ્ટા રિકા, આ ક્ષેત્રમાં બદલાતા વલણોને કારણે, અમે સમર્પિત પ્રયાસો અને વ્યવસ્થાપક શ્રેષ્ઠતા સાથે ઉત્પાદનોના વેપારમાં પોતાને સામેલ કરીએ છીએ. અમે અમારા ગ્રાહકો માટે સમયસર ડિલિવરી સમયપત્રક, નવીન ડિઝાઇન, ગુણવત્તા અને પારદર્શિતા જાળવી રાખીએ છીએ. અમારો હેતુ નિર્ધારિત સમયમર્યાદામાં ગુણવત્તાયુક્ત ઉત્પાદનો પહોંચાડવાનો છે.

Eps એપ્લિકેશન માટે એસી ફિલ્ટર

ઇલેક્ટ્રિક કાર કેપેસિટર

હાઇ વોલ્ટેજ પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક કેપેસિટર

ઇન્વર્ટર ડીસી લિંક કેપેસિટર

પીએફસી કેપેસિટર

પાવર કેપેસિટર બેંક

ડીસી લિંક માટે પાવર કેપેસિટર

સ્ક્રુ/નટ ટર્મિનલ રેઝોનન્સ ફિલ્મ કેપેસિટર

સ્વ-હીલિંગ પોલીપ્રોપીલીન કેપેસિટર્સ

સ્નબર કેપેસિટર

ફેક્ટરીના ટેકનિકલ સ્ટાફે અમને સહકાર પ્રક્રિયામાં ઘણી સારી સલાહ આપી, આ ખૂબ જ સારું છે, અમે ખૂબ આભારી છીએ.

કેલિફોર્નિયાથી હેન્ના દ્વારા - ૨૦૧૮.૦૬.૧૮ ૧૭:૨૫

આ ફેક્ટરી સતત વિકાસશીલ આર્થિક અને બજારની જરૂરિયાતોને પૂર્ણ કરી શકે છે, જેથી તેમના ઉત્પાદનો વ્યાપકપણે ઓળખાય અને વિશ્વસનીય બને, અને તેથી જ અમે આ કંપની પસંદ કરી.

માલ્ટાથી રોજર રિવકિન દ્વારા - ૨૦૧૮.૦૭.૨૬ ૧૬:૫૧