જથ્થાબંધ કિંમત ચાઇના એસી ફિલ્મ કેપેસિટર - મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર - CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

ઘણીવાર ગ્રાહકલક્ષી, અને તે અમારું અંતિમ લક્ષ્ય છે કે માત્ર સૌથી પ્રતિષ્ઠિત, વિશ્વાસપાત્ર અને પ્રામાણિક પ્રદાતા જ નહીં, પરંતુ અમારા ગ્રાહકો માટે ભાગીદાર પણ.અલ્ટ્રાકેપેસિટર બેટરી , લો ESL ફિલ્મ કેપેસિટર , Igbt માટે સ્નબર કેપેસિટર, અમારી પાસે હવે ચાર અગ્રણી ઉકેલો છે.અમારા ઉત્પાદનો સૌથી વધુ અસરકારક માત્ર ચીની બજાર દરમિયાન વેચાય છે, પરંતુ આંતરરાષ્ટ્રીય ઉદ્યોગ દરમિયાન પણ આવકાર્ય છે.

જથ્થાબંધ કિંમત ચાઇના એસી ફિલ્મ કેપેસિટર - મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ ડેટા

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ ઓપરેટિંગ તાપમાન
ક્ષમતા શ્રેણી	0.1μF～5.6μF
રેટ કરેલ વોલ્ટેજ	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરવો	1.5Un DC/10S
વિસર્જન પરિબળ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S પર)
હડતાલ પ્રવાહનો સામનો કરો	具体见规格表
જ્યોત મંદતા	UL94V-0
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC61071;GB/T17702;

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન			અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


વિદ્યુત્સ્થીતિમાન			અન 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	પરિમાણ (mm)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન			અન 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન			અન 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન			અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

વિદ્યુત્સ્થીતિમાન			અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	ઇર્મ્સ
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

લક્ષણ

1. પ્લાસ્ટિક, રેઝિન સાથે સીલબંધ;

2. ટીન-પ્લેટેડ કોપર લીડ્સ દાખલ કરે છે, IGBT માટે સરળ ઇન્સ્ટોલેશન;

3. ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, નીચા tgδ, નીચા તાપમાનમાં વધારો સામે પ્રતિકાર;

4. નીચા ESL અને ESR;

5. ઉચ્ચ પલ્સ વર્તમાન.

નીચા ઇન્ડક્ટન્સ આંતરિક બાંધકામો, વૈકલ્પિક મોલ્ડેડ રેઝિન કેસ અને કસ્ટમાઇઝ્ડ ટર્મિનેશનનો ઉપયોગ કરીને, SMJ-P સિરીઝ ઝડપી સ્વિચિંગ IGBTS માટે ડિઝાઇન કરવામાં આવી છે અને તે સ્નબર્સ અને ઉચ્ચ વર્તમાન ઉચ્ચ આવર્તન ઇનપુટ ફિલ્ટર તરીકે સેવા આપી શકે છે.

ઉત્પાદન વિગતો ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમે અમારી કંપનીની "ગુણવત્તા, પ્રદર્શન, નવીનતા અને અખંડિતતા"ની ભાવના સાથે રહીએ છીએ.અમે અમારા વિપુલ સંસાધનો, અદ્યતન મશીનરી, અનુભવી કામદારો અને જથ્થાબંધ કિંમતના ચાઇના એસી ફિલ્મ કેપેસિટર - મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર - CRE માટેના શાનદાર સોલ્યુશન્સ સાથે અમારા ક્લાયન્ટ્સ માટે વધુ મૂલ્ય બનાવવાનો ધ્યેય કરીએ છીએ, ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે : અલ્બેનિયા, મક્કા, મંગોલિયા, અમારા તમામ ઉત્પાદનો યુકે, જર્મની, ફ્રાન્સ, સ્પેન, યુએસએ, કેનેડા, ઈરાન, ઈરાક, મધ્ય પૂર્વ અને આફ્રિકાના ગ્રાહકોને નિકાસ કરવામાં આવે છે.ઉચ્ચ ગુણવત્તા, સ્પર્ધાત્મક કિંમતો અને સૌથી અનુકૂળ શૈલીઓ માટે અમારા ગ્રાહકો દ્વારા અમારા ઉત્પાદનોને સારી રીતે આવકારવામાં આવે છે.અમે આશા રાખીએ છીએ કે અમે તમામ ગ્રાહકો સાથે વ્યવસાયિક સંબંધ સ્થાપિત કરીશું અને જીવન માટે વધુ સુંદર રંગો લાવીશું.

Eps એપ્લિકેશન માટે એસી ફિલ્ટર

ઇલેક્ટ્રિક કાર કેપેસિટર

ઉચ્ચ વોલ્ટેજ પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક કેપેસિટર

ઇન્વર્ટર ડીસી લિંક કેપેસિટર

પીએફસી કેપેસિટર