મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર – CRE

ટૂંકું વર્ણન:

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

સંબંધિત વિડિઓ

પ્રતિસાદ (2)

નવીનતા, ઉત્તમ અને વિશ્વસનીયતા અમારી કંપનીના મુખ્ય મૂલ્યો છે. આ સિદ્ધાંતો આજે પહેલા કરતાં વધુ આંતરરાષ્ટ્રીય સ્તરે સક્રિય મધ્યમ કદના વ્યવસાય તરીકે અમારી સફળતાનો આધાર બનાવે છેઉચ્ચ વિશ્વસનીયતા ફિલ્મ કેપેસિટર , પીસીબી માઉન્ટેડ કેપેસિટર , ડીસી-ફિલ્ટરિંગ કેપેસિટર, નિષ્ઠાપૂર્વક આશા રાખીએ છીએ કે અમે વિશ્વભરના અમારા ગ્રાહકો સાથે મળીને વિકાસ કરી રહ્યા છીએ.

ઉત્તમ ગુણવત્તાવાળા પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ કેપેસિટર - મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર - CRE વિગતો:

ટેકનિકલ માહિતી

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: +105℃ ઉપલા શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચલું શ્રેણી તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૦.૧μF~૫.૬μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી~૩૦૦૦ વોલ્ટ.ડીસી
કેપ.ટોલ	±5%(J); ±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	૧.૫ યુનિટ ડીસી/૧૦ એસ
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર)
સ્ટ્રાઇક કરંટનો સામનો કરો	具体见规格表
જ્યોત મંદતા	UL94V-0 નો પરિચય
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
સંદર્ભ ધોરણ	IEC61071;GB/T17702;

વોલ્ટેજ			અન 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી (વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ @૪૦℃ @૧૦૦KHz (A)
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૫૦૦	૨૩૫	8
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	25	૪૮૦	૩૨૬.૪	10
1	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	24	૪૫૦	૪૫૦	12
૧.૫	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	25	૪૩૦	૬૪૫	5
2	૪૨.૫	33	૩૫.૫	6	24	૪૨૦	૮૪૦	15
૨.૫	૪૨.૫	33	45	6	23	૪૦૦	૧૦૦૦	18
3	૪૨.૫	33	45	૫.૫	22	૩૮૦	૧૧૪૦	20
3	૫૭.૫	30	45	5	26	૩૫૦	૧૦૫૦	22
૩.૫	૪૨.૫	33	45	5	23	૩૫૦	૧૨૨૫	25
૩.૫	૫૭.૫	30	45	6	25	૩૦૦	૧૦૫૦	22
૪.૭	૫૭.૫	35	50	5	28	૨૮૦	૧૩૧૬	25
૫.૬	૫૭.૫	38	54	4	30	૨૫૦	૧૪૦૦	25
6	૫૭.૫	38	54	૩.૫	33	૨૩૦	૧૩૮૦	28
૬.૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	32	૨૨૦	૧૪૯૬	32
8	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	30	૨૦૦	૧૬૦૦	33


વોલ્ટેજ			૧૦૦૦ વોલ્ટથી ઓછું.ડીસી,યુઆરએમએસ૫૦૦ વેક;યુએસ૧૫૦૦ વોલ્ટથી ઓછું
	પરિમાણ (મીમી)
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	25	૧૦૦૦	૪૭૦	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	8	25	૮૦૦	૫૪૪	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	24	૮૦૦	૮૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	24	૭૦૦	૧૦૫૦	15
2	૪૨.૫	33	45	5	22	૭૦૦	૧૪૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	30	45	5	30	૬૦૦	૧૫૦૦	22
3	૫૭.૫	35	50	4	30	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	35	50	૩.૫	28	૫૫૦	૧૮૧૫	25
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	28	૫૦૦	૧૭૫૦	25
4	૫૭.૫	38	54	૩.૨	26	૫૦૦	૨૦૦૦	28
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	3	25	૪૨૦	૧૯૭૪	30
૫.૬	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૨.૮	24	૪૦૦	૨૨૪૦	32

વોલ્ટેજ			અન ૧૨૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ ૫૫૦ વોલ્ટ; યુએસ ૧૮૦૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	11	24	૧૨૦૦	૫૬૪	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	7	23	૧૧૦૦	૭૪૮	12
1	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	6	22	૮૦૦	૮૦૦	14
૧.૫	૪૨.૫	33	45	5	20	૮૦૦	૧૨૦૦	15
2	૫૭.૫	30	45	4	30	૭૫૦	૧૫૦૦	20
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૭૦૦	૧૭૫૦	25
3	૫૭.૫	35	50	4	27	૬૦૦	૧૮૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	4	27	૫૫૦	૧૮૧૫	28
૩.૫	૫૭.૫	38	54	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	28
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૪૫૦	૧૮૦૦	30
૪.૭	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	23	૪૨૦	૧૯૭૪	32

વોલ્ટેજ			અન ૧૭૦૦ વોલ્ટ.ડીસી, યુઆરએમએસ૫૭૫ વેક; યુએસ૨૨૫૦ વોલ્ટ
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૩૩	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	12	25	૧૩૦૦	૪૨૯	9
૦.૪૭	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	10	24	૧૩૦૦	૬૧૧	10
૦.૬૮	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	8	23	૧૩૦૦	૮૮૪	12
1	૪૨.૫	33	45	7	22	૧૨૦૦	૧૨૦૦	15
૧.૫	૪૨.૫	33	45	6	22	૧૨૦૦	૧૮૦૦	18
૧.૫	૫૭.૫	30	45	5	31	૧૨૦૦	૧૮૦૦	20
2	૫૭.૫	30	45	5	30	૧૧૦૦	૨૨૦૦	22
૨.૫	૫૭.૫	35	50	4	28	૧૧૦૦	૨૭૫૦	25
3	૫૭.૫	38	54	4	27	૭૦૦	૨૧૦૦	25
૩.૩	૫૭.૫	38	54	૩.૮	26	૬૦૦	૧૯૮૦	28
૩.૫	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૫	25	૫૦૦	૧૭૫૦	30
4	૫૭.૫	૪૨.૫	56	૩.૨	25	૪૫૦	૧૮૦૦	32

વોલ્ટેજ			અન 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૨૨	૪૨.૫	૨૪.૫	૨૭.૫	15	25	૧૫૦૦	૩૩૦	10
૦.૩૩	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	12	24	૧૫૦૦	૪૯૫	12
૦.૪૭	૪૨.૫	૩૩.૫	૩૫.૫	11	23	૧૪૦૦	૬૫૮	15
૦.૬૮	૪૨.૫	33	45	8	22	૧૨૦૦	૮૧૬	18
૦.૬૮	૫૭.૫	30	45	7	30	૧૧૦૦	૭૪૮	20
૦.૮૨	૪૨.૫	33	45	7	28	૧૨૦૦	૯૮૪	22
1	૫૭.૫	30	45	6	28	૧૧૦૦	૧૧૦૦	25
૧.૫	૫૭.૫	35	50	5	25	૧૦૦૦	૧૫૦૦	28
2	૫૭.૫	38	54	5	24	૮૦૦	૧૬૦૦	28
૨.૨	૫૭.૫	૪૨.૫	56	4	23	૭૦૦	૧૫૪૦	32

વોલ્ટેજ			અન 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	એલ(±1)	ટી(±1)	એચ(±1)	ESR(mΩ)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	ઇર્મ્સ
૦.૧૫	૪૨.૫	33	45	18	28	૨૫૦૦	૩૭૫	25
૦.૨૨	૪૨.૫	33	45	15	27	૨૨૦૦	૪૮૪	28
૦.૨૨	૫૭.૫	35	50	15	25	૨૦૦૦	૩૩૦	20
૦.૩૩	૫૭.૫	35	50	12	24	૧૮૦૦	૪૯૫	20
૦.૪૭	૫૭.૫	38	54	11	23	૧૬૦૦	૭૫૨	22
૦.૬૮	૫૭.૫	૪૨.૫	56	8	22	૧૫૦૦	૧૦૨૦	28

લક્ષણ

1. પ્લાસ્ટિક, રેઝિનથી સીલબંધ;

2. ટીન-પ્લેટેડ કોપર ઇન્સર્ટ્સ લીડ્સ, IGBT માટે સરળ ઇન્સ્ટોલેશન;

3. ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, નીચા tgδ, નીચા તાપમાનમાં વધારો સામે પ્રતિકાર;

4. નીચા ESL અને ESR;

5. ઉચ્ચ પલ્સ કરંટ.

ઓછા ઇન્ડક્ટન્સ આંતરિક બાંધકામો, વૈકલ્પિક મોલ્ડેડ રેઝિન કેસ અને કસ્ટમાઇઝ્ડ ટર્મિનેશનનો ઉપયોગ કરીને, SMJ-P સિરીઝ ઝડપી સ્વિચિંગ IGBTS માટે ડિઝાઇન કરવામાં આવી છે અને તે સ્નબર્સ અને ઉચ્ચ વર્તમાન ઉચ્ચ આવર્તન ઇનપુટ ફિલ્ટર્સ તરીકે સેવા આપી શકે છે.

ઉત્પાદન વિગતવાર ચિત્રો:

સંબંધિત ઉત્પાદન માર્ગદર્શિકા:

અમે ખૂબ જ સારી કંપની કોન્સેપ્ટ, પ્રામાણિક ઉત્પાદન વેચાણ અને શ્રેષ્ઠ અને ઝડપી સહાય સાથે પ્રીમિયમ ગુણવત્તાવાળી રચના ઓફર કરવાનો આગ્રહ રાખીએ છીએ. તે તમને માત્ર પ્રીમિયમ ગુણવત્તાવાળી વસ્તુ અને મોટો નફો જ નહીં, પરંતુ સૌથી મહત્વપૂર્ણ બાબત એ છે કે ઉત્તમ ગુણવત્તાવાળા પોલીપ્રોપીલીન ફિલ્મ કેપેસિટર - મેટલાઇઝ્ડ ફિલ્મ IGBT સ્નબર કેપેસિટર - CRE માટે અનંત બજાર પર કબજો મેળવવો, આ ઉત્પાદન સમગ્ર વિશ્વમાં સપ્લાય કરશે, જેમ કે: કતાર, મસ્કત, સ્વિટ્ઝર્લૅન્ડ, અમારી કંપની હંમેશા આંતરરાષ્ટ્રીય બજારના વિકાસ પર ધ્યાન કેન્દ્રિત કરે છે. રશિયા, યુરોપિયન દેશો, યુએસએ, મધ્ય પૂર્વ દેશો અને આફ્રિકાના દેશોમાં અમારા ઘણા ગ્રાહકો છે. અમે હંમેશા એ વાતનું પાલન કરીએ છીએ કે ગુણવત્તા એ પાયો છે જ્યારે સેવા એ બધા ગ્રાહકોને મળવાની ગેરંટી છે.

એસી ફિલ્મ કેપેસિટર બેંક

મધ્યમ આવર્તન ઇન્ડક્શન ફર્નેસ માટે કેપેસિટર

ડિલિવરી કાર માટે ડીસી લિંક કેપેસિટર

ફિલ્મ કેપેસિટર પુરવઠોકર્તા

હાઇ પર્ફોર્મન્સ ફિલ્મ કેપેસિટર

હાઇ પાવર રેઝોનન્ટ કેપેસિટર્સ

ઉચ્ચ ગુણવત્તાવાળા ડીસી લિંક કેપેસિટર

હાઇ વોલ્ટેજ ડીસી લિંક કેપેસિટર

Igbt શોષક સર્કિટ કેપેસિટર

એમકેપી કેપેસિટર