પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં GTO સ્નબર કેપેસિટર

ટૂંકું વર્ણન:

સ્વિચિંગ સર્કિટમાં વપરાતા ડાયોડ માટે સ્નબર સર્કિટ આવશ્યક છે. તે ડાયોડને ઓવરવોલ્ટેજ સ્પાઇક્સથી બચાવી શકે છે, જે રિવર્સ રિકવરી પ્રક્રિયા દરમિયાન ઉદ્ભવી શકે છે.

અમને ઇમેઇલ મોકલો PDF તરીકે ડાઉનલોડ કરો

ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

ટેકનિકલ માહિતી

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી	મહત્તમ સંચાલન તાપમાન., ટોચ, મહત્તમ: + 85℃ ઉપલા શ્રેણી તાપમાન: +85℃ નીચલું શ્રેણી તાપમાન: -40℃
કેપેસીટન્સ શ્રેણી	૦.૨૨~૩μF
રેટેડ વોલ્ટેજ	૩૦૦૦વો.ડીસી~૧૦૦૦૦વો.ડીસી
કેપ.ટોલ	±5%(J); ±10%(K)
વોલ્ટેજનો સામનો કરો	૧.૩૫ યુનિટ ડીસી/૧૦એસ
ડિસીપેશન ફેક્ટર	tgδ≤0.001 f=1KHz
ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર)
સ્ટ્રાઇક કરંટનો સામનો કરો	ડેટાશીટ જુઓ
આયુષ્ય	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
સંદર્ભ ધોરણ	આઇઇસી 61071;

લક્ષણ

1. માયલર ટેપ, રેઝિનથી સીલબંધ;

2. કોપર નટ લીડ્સ;

3. ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, નીચા tgδ, નીચા તાપમાનમાં વધારો સામે પ્રતિકાર;

4. નીચા ESL અને ESR;

5. ઉચ્ચ પલ્સ કરંટ.

અરજી

1. જીટીઓ સ્નબર.

2. પીક વોલ્ટેજ, પીક કરંટ શોષણ સુરક્ષા દરમિયાન પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.

લાક્ષણિક સર્કિટ

રૂપરેખા ચિત્ર

સ્પષ્ટીકરણ

અન=3000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૨૨	35	44	52	25	૧૧૦૦	૨૪૨	30
૦.૩૩	43	44	52	25	૧૦૦૦	૩૩૦	35
૦.૪૭	51	44	52	22	૮૫૦	૩૯૯	45
૦.૬૮	61	44	52	22	૮૦૦	૫૪૪	55
૧	74	44	52	20	૭૦૦	૭૦૦	65
૧.૨	80	44	52	20	૬૫૦	૭૮૦	75
૧.૫	52	70	84	30	૬૦૦	૯૦૦	45
૨.૦	60	70	84	30	૫૦૦	૧૦૦૦	55
૩.૦	73	70	84	30	૪૦૦	૧૨૦૦	65
૪.૦	83	70	84	30	૩૫૦	૧૪૦૦	70
અન=6000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૨૨	43	60	72	25	૧૫૦૦	૩૩૦	35
૦.૩૩	52	60	72	25	૧૨૦૦	૩૯૬	45
૦.૪૭	62	60	72	25	૧૦૦૦	૪૭૦	50
૦.૬૮	74	60	72	22	૯૦૦	૬૧૨	60
૧	90	60	72	22	૮૦૦	૯૦૦	75

અન=7000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૨૨	45	57	72	25	૧૧૦૦	૨૪૨	30
૦.૬૮	36	80	92	28	૧૦૦૦	૬૮૦	25
૧.૦	43	80	92	28	૮૫૦	૮૫૦	30
૧.૫	52	80	92	25	૮૦૦	૧૨૦૦	35
૧.૮	57	80	92	25	૭૦૦	૧૨૬૦	40
૨.૦	60	80	92	23	૬૫૦	૧૩૦૦	45
૩.૦	73	80	92	22	૫૦૦	૧૫૦૦	50

અન=8000V.DC
કેપેસીટન્સ(μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૩૩	35	90	૧૦૨	30	૧૧૦૦	૩૬૩	25
૦.૪૭	41	90	૧૦૨	28	૧૦૦૦	૪૭૦	30
૦.૬૮	49	90	૧૦૨	28	૮૫૦	૫૭૮	35
૧	60	90	૧૦૨	25	૮૦૦	૮૦૦	40
૧.૫	72	90	૧૦૨	25	૭૦૦	૧૦૫૦	45
૨.૦	83	90	૧૦૨	25	૬૫૦	૧૩૦૦	50

અન=10000V.DC
કેપેસીટન્સ (μF)	φD (મીમી)	લ(મીમી)	L1(મીમી)	ઇએસએલ(એનએચ)	ડીવી/ડીટી(વી/μS)	આઇપીકે(એ)	IRMS(A)
૦.૩૩	45	૧૧૪	૧૨૩	35	૧૫૦૦	૪૯૫	30
૦.૪૭	54	૧૧૪	૧૨૩	35	૧૩૦૦	૬૧૧	35
૦.૬૮	65	૧૧૪	૧૨૩	35	૧૨૦૦	૮૧૬	40
૧	78	૧૧૪	૧૨૩	30	૧૦૦૦	૧૦૦૦	55
૧.૫	95	૧૧૪	૧૨૩	30	૮૦૦	૧૨૦૦	70