પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં જીટીઓ સ્નબર કેપેસિટર
ટેકનિકલ ડેટા
| ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી | મહત્તમ.ઓપરેટિંગ તાપમાન.,ટોચ,મહત્તમ: +85℃ઉચ્ચ કેટેગરી તાપમાન: +85℃નીચલી શ્રેણી તાપમાન: -40℃ |
| ક્ષમતા શ્રેણી | 0.22～3μF |
| રેટ કરેલ વોલ્ટેજ | 3000V.DC～10000V.DC |
| Cap.tol | ±5%(J) ;±10%(K) |
| વોલ્ટેજનો સામનો કરવો | 1.35Un DC/10S |
| વિસર્જન પરિબળ | tgδ≤0.001 f=1KHz |
| ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર) |
| હડતાલ પ્રવાહનો સામનો કરો | ડેટાશીટ જુઓ |
| આયુષ્ય | 100000h(Un; Θhotspot≤70°C) |
| સંદર્ભ ધોરણ | IEC 61071 ; |
લક્ષણ
1. માઇલર ટેપ, રેઝિન સાથે સીલબંધ;
2. કોપર અખરોટ લીડ્સ;
3. ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, નીચા tgδ, નીચા તાપમાનમાં વધારો સામે પ્રતિકાર;
4. નીચા ESL અને ESR;
5. ઉચ્ચ પલ્સ વર્તમાન.
અરજી
1. જીટીઓ સ્નબર.
2. પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે જ્યારે પીક વોલ્ટેજ, પીક વર્તમાન શોષણ સંરક્ષણ.
લાક્ષણિક સર્કિટ
રૂપરેખા રેખાંકન
સ્પષ્ટીકરણ
| અન=3000V.DC | |||||||
| ક્ષમતા (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 35 | 44 | 52 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0.33 | 43 | 44 | 52 | 25 | 1000 | 330 | 35 |
| 0.47 | 51 | 44 | 52 | 22 | 850 | 399 | 45 |
| 0.68 | 61 | 44 | 52 | 22 | 800 | 544 | 55 |
| 1 | 74 | 44 | 52 | 20 | 700 | 700 | 65 |
| 1.2 | 80 | 44 | 52 | 20 | 650 | 780 | 75 |
| 1.5 | 52 | 70 | 84 | 30 | 600 | 900 | 45 |
| 2.0 | 60 | 70 | 84 | 30 | 500 | 1000 | 55 |
| 3.0 | 73 | 70 | 84 | 30 | 400 | 1200 | 65 |
| 4.0 | 83 | 70 | 84 | 30 | 350 | 1400 | 70 |
| અન=6000V.DC | |||||||
| ક્ષમતા (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 43 | 60 | 72 | 25 | 1500 | 330 | 35 |
| 0.33 | 52 | 60 | 72 | 25 | 1200 | 396 | 45 |
| 0.47 | 62 | 60 | 72 | 25 | 1000 | 470 | 50 |
| 0.68 | 74 | 60 | 72 | 22 | 900 | 612 | 60 |
| 1 | 90 | 60 | 72 | 22 | 800 | 900 | 75 |
| અન=7000V.DC | |||||||
| ક્ષમતા (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.22 | 45 | 57 | 72 | 25 | 1100 | 242 | 30 |
| 0.68 | 36 | 80 | 92 | 28 | 1000 | 680 | 25 |
| 1.0 | 43 | 80 | 92 | 28 | 850 | 850 | 30 |
| 1.5 | 52 | 80 | 92 | 25 | 800 | 1200 | 35 |
| 1.8 | 57 | 80 | 92 | 25 | 700 | 1260 | 40 |
| 2.0 | 60 | 80 | 92 | 23 | 650 | 1300 | 45 |
| 3.0 | 73 | 80 | 92 | 22 | 500 | 1500 | 50 |
| અન=8000V.DC | |||||||
| ક્ષમતા(μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.33 | 35 | 90 | 102 | 30 | 1100 | 363 | 25 |
| 0.47 | 41 | 90 | 102 | 28 | 1000 | 470 | 30 |
| 0.68 | 49 | 90 | 102 | 28 | 850 | 578 | 35 |
| 1 | 60 | 90 | 102 | 25 | 800 | 800 | 40 |
| 1.5 | 72 | 90 | 102 | 25 | 700 | 1050 | 45 |
| 2.0 | 83 | 90 | 102 | 25 | 650 | 1300 | 50 |
| અન=10000V.DC | |||||||
| ક્ષમતા (μF) | φD (mm) | L(mm) | L1(mm) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
| 0.33 | 45 | 114 | 123 | 35 | 1500 | 495 | 30 |
| 0.47 | 54 | 114 | 123 | 35 | 1300 | 611 | 35 |
| 0.68 | 65 | 114 | 123 | 35 | 1200 | 816 | 40 |
| 1 | 78 | 114 | 123 | 30 | 1000 | 1000 | 55 |
| 1.5 | 95 | 114 | 123 | 30 | 800 | 1200 | 70 |
