• bbb

પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં જીટીઓ સ્નબર કેપેસિટર

ટૂંકું વર્ણન:

સ્વિચિંગ સર્કિટમાં વપરાતા ડાયોડ માટે સ્નબર સર્કિટ આવશ્યક છે.તે ઓવરવોલ્ટેજ સ્પાઇક્સથી ડાયોડને બચાવી શકે છે, જે રિવર્સ રિકવરી પ્રક્રિયા દરમિયાન ઊભી થઈ શકે છે.


ઉત્પાદન વિગતો

ઉત્પાદન ટૅગ્સ

ટેકનિકલ ડેટા

ઓપરેટિંગ તાપમાન શ્રેણી મહત્તમ.ઓપરેટિંગ તાપમાન.,ટોચ,મહત્તમ: +85℃ઉચ્ચ કેટેગરી તાપમાન: +85℃નીચલી શ્રેણી તાપમાન: -40℃
ક્ષમતા શ્રેણી

0.22~3μF

રેટ કરેલ વોલ્ટેજ

3000V.DC~10000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

વોલ્ટેજનો સામનો કરવો

1.35Un DC/10S

વિસર્જન પરિબળ

tgδ≤0.001 f=1KHz

ઇન્સ્યુલેશન પ્રતિકાર

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S પર)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S પર)

હડતાલ પ્રવાહનો સામનો કરો

ડેટાશીટ જુઓ

આયુષ્ય

100000h(Un; Θhotspot≤70°C)

સંદર્ભ ધોરણ

IEC 61071 ;

લક્ષણ

1. માઇલર ટેપ, રેઝિન સાથે સીલબંધ;

2. કોપર અખરોટ લીડ્સ;

3. ઉચ્ચ વોલ્ટેજ, નીચા tgδ, નીચા તાપમાનમાં વધારો સામે પ્રતિકાર;

4. નીચા ESL અને ESR;

5. ઉચ્ચ પલ્સ વર્તમાન.

અરજી

1. જીટીઓ સ્નબર.

2. પાવર ઇલેક્ટ્રોનિક સાધનોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગ થાય છે જ્યારે પીક વોલ્ટેજ, પીક વર્તમાન શોષણ સંરક્ષણ.

લાક્ષણિક સર્કિટ

1

રૂપરેખા રેખાંકન

2

સ્પષ્ટીકરણ

અન=3000V.DC

ક્ષમતા (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0.47

51

44

52

22

850

399

45

0.68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

અન=6000V.DC

ક્ષમતા (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0.47

62

60

72

25

1000

470

50

0.68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

અન=7000V.DC

ક્ષમતા (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0.68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

અન=8000V.DC

ક્ષમતા(μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0.47

41

90

102

28

1000

470

30

0.68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

અન=10000V.DC

ક્ષમતા (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0.47

54

114

123

35

1300

611

35

0.68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


  • અગાઉના:
  • આગળ:

  • તમારો સંદેશ અમને મોકલો:

    તમારો સંદેશ અહીં લખો અને અમને મોકલો

    તમારો સંદેશ અમને મોકલો: